WSD100N15DN56G N-ఛానల్ 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

చిన్న వివరణ:

పార్ట్ నంబర్:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

ID:100A

RDSON:6mΩ

ఛానెల్:N-ఛానల్

ప్యాకేజీ:DFN5X6-8

మాకు ఇమెయిల్ పంపండి PDF

ఉత్పత్తి వివరాలు

అప్లికేషన్

ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

WINSOK MOSFET ఉత్పత్తి అవలోకనం

WSD100N15DN56G MOSFET యొక్క వోల్టేజ్ 150V, కరెంట్ 100A, రెసిస్టెన్స్ 6mΩ, ఛానెల్ N-ఛానల్ మరియు ప్యాకేజీ DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET అప్లికేషన్ ప్రాంతాలు

వైద్య విద్యుత్ సరఫరా MOSFET, PDలు MOSFET, డ్రోన్లు MOSFET, ఎలక్ట్రానిక్ సిగరెట్లు MOSFET, ప్రధాన ఉపకరణాలు MOSFET మరియు పవర్ టూల్స్ MOSFET.

MOSFET పారామితులు

చిహ్నం	పరామితి	రేటింగ్	యూనిట్లు
VDS	డ్రెయిన్-సోర్స్ వోల్టేజ్	150	V
VGS	గేట్-మూల వోల్టేజ్	±20	V
ID	నిరంతర డ్రెయిన్ కరెంట్, V_GS@ 10V(T_C=25℃)	100	A
IDM	పల్సెడ్ డ్రెయిన్ కరెంట్	360	A
EAS	సింగిల్ పల్స్ అవలాంచ్ ఎనర్జీ	400	mJ
P_D	మొత్తం పవర్ డిస్సిపేషన్..._C=25℃)	160	W
RθJA	థర్మల్ రెసిస్టెన్స్, జంక్షన్-యాంబియంట్	62	℃/W
RθJC	థర్మల్ రెసిస్టెన్స్, జంక్షన్-కేస్	0.78	℃/W
TSTG	నిల్వ ఉష్ణోగ్రత పరిధి	-55 నుండి 175	℃
T_J	ఆపరేటింగ్ జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పరిధి	-55 నుండి 175	℃

చిహ్నం	పరామితి	షరతులు	కనిష్ట	టైప్ చేయండి.	గరిష్టంగా	యూనిట్
BV_DSS	డ్రెయిన్-సోర్స్ బ్రేక్‌డౌన్ వోల్టేజ్	V_GS=0V, I_D=250uA	150	---	---	V
RDS(ఆన్)	స్టాటిక్ డ్రెయిన్-సోర్స్ ఆన్-రెసిస్టెన్స్²	V_GS=10V, I_D=20A	---	9	12	mΩ
VGS(వ)	గేట్ థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్	V_GS=V_DS, ఐ_D=250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	డ్రెయిన్-సోర్స్ లీకేజ్ కరెంట్	V_DS=100V, V_GS=0V, T_J=25℃	---	---	1	uA
IGSS	గేట్-సోర్స్ లీకేజ్ కరెంట్	V_GS=±20V , V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	మొత్తం గేట్ ఛార్జ్	V_DS=50V, V_GS=10V, I_D=20A	---	66	---	nC
Q_gs	గేట్-మూల ఛార్జ్		---	26	---
Q_gd	గేట్-డ్రెయిన్ ఛార్జ్		---	18	---
Td(ఆన్)	ఆలస్యం సమయం ఆన్ చేయండి	V_DD=50V,V_GS=10V R_G=2Ω, I_D=20A	---	37	---	ns
T_r	రైజ్ టైమ్		---	98	---
Td(ఆఫ్)	టర్న్-ఆఫ్ ఆలస్యం సమయం		---	55	---
T_f	పతనం సమయం		---	20	---
C_iss	ఇన్పుట్ కెపాసిటెన్స్	V_DS=30V, V_GS=0V , f=1MHz	---	5450	---	pF
కాస్	అవుట్పుట్ కెపాసిటెన్స్		---	1730	---
C_rss	రివర్స్ బదిలీ కెపాసిటెన్స్		---	195	---