మెరుగుదల మరియు క్షీణత MOSFETలను విశ్లేషించడం

D-FET అనేది 0 గేట్ బయాస్‌లో ఉన్నప్పుడు ఛానెల్ ఉనికి, FETని నిర్వహించగలదు; ఛానెల్ లేనప్పుడు E-FET 0 గేట్ బయాస్‌లో ఉంటుంది, FETని నిర్వహించలేరు. ఈ రెండు రకాల FETలు వాటి స్వంత లక్షణాలు మరియు ఉపయోగాలు కలిగి ఉన్నాయి. సాధారణంగా, అధిక-వేగం, తక్కువ-శక్తి సర్క్యూట్లలో మెరుగుపరచబడిన FET చాలా విలువైనది; మరియు ఈ పరికరం పని చేస్తోంది, ఇది గేట్ బయాస్ vo యొక్క ధ్రువణతltage మరియు కాలువ అదే వోల్టేజ్, ఇది సర్క్యూట్ రూపకల్పనలో మరింత సౌకర్యవంతంగా ఉంటుంది.

మెరుగుపరచబడిన సాధనాలు అని పిలవబడేవి: VGS = 0 ట్యూబ్ ఒక కట్-ఆఫ్ స్థితి, ప్లస్ సరైన VGS అయినప్పుడు, మెజారిటీ క్యారియర్‌లు గేట్‌కు ఆకర్షితులవుతాయి, తద్వారా ఈ ప్రాంతంలోని క్యారియర్‌లను "పెంపొందించడం", ఒక వాహక ఛానెల్‌ని ఏర్పరుస్తుంది. n-ఛానల్ మెరుగుపరచబడిన MOSFET ప్రాథమికంగా ఎడమ-కుడి సిమెట్రిక్ టోపోలాజీ, ఇది SiO2 ఫిల్మ్ ఇన్సులేషన్ యొక్క పొరను ఉత్పత్తి చేసే P-రకం సెమీకండక్టర్. ఇది P-టైప్ సెమీకండక్టర్‌పై SiO2 ఫిల్మ్ యొక్క ఇన్సులేటింగ్ లేయర్‌ను ఉత్పత్తి చేస్తుంది, ఆపై రెండు అత్యంత డోప్ చేయబడిన N-రకం ప్రాంతాలను దీని ద్వారా వ్యాప్తి చేస్తుందిఫోటోలిథోగ్రఫీ, మరియు N-రకం ప్రాంతం నుండి లీడ్స్ ఎలక్ట్రోడ్‌లు, డ్రెయిన్ D కోసం ఒకటి మరియు మూలం S కోసం ఒకటి. అల్యూమినియం మెటల్ పొర మూలం మరియు డ్రెయిన్ మధ్య ఇన్సులేటింగ్ లేయర్‌పై గేట్ G వలె పూత చేయబడింది. VGS = 0 V ఉన్నప్పుడు , డ్రెయిన్ మరియు సోర్స్ మధ్య బ్యాక్-టు-బ్యాక్ డయోడ్‌లతో చాలా కొన్ని డయోడ్‌లు ఉన్నాయి మరియు D మరియు S మధ్య వోల్టేజ్ D మరియు S మధ్య కరెంట్‌ను ఏర్పరచదు. D మరియు S మధ్య కరెంట్ దరఖాస్తు చేసిన వోల్టేజ్ ద్వారా ఏర్పడదు.

గేట్ వోల్టేజ్ జోడించబడినప్పుడు, 0 < VGS < VGS(th), గేట్ మరియు సబ్‌స్ట్రేట్ మధ్య ఏర్పడిన కెపాసిటివ్ ఎలక్ట్రిక్ ఫీల్డ్ ద్వారా, గేట్ దిగువన ఉన్న P-టైప్ సెమీకండక్టర్‌లోని పాలియాన్ రంధ్రాలు క్రిందికి తిప్పికొట్టబడతాయి మరియు ప్రతికూల అయాన్ల యొక్క సన్నని క్షీణత పొర కనిపిస్తుంది; అదే సమయంలో, అది ఉపరితల పొరకు తరలించడానికి దానిలోని ఒలిగాన్‌లను ఆకర్షిస్తుంది, అయితే ఈ సంఖ్య పరిమితంగా ఉంటుంది మరియు కాలువ మరియు మూలాన్ని కమ్యూనికేట్ చేసే వాహక ఛానెల్‌ని రూపొందించడానికి సరిపోదు, కాబట్టి ఇది డ్రెయిన్ కరెంట్ IDని రూపొందించడానికి ఇప్పటికీ సరిపోదు. మరింత పెరుగుతుంది VGS, VGS ఉన్నప్పుడు > VGS (th) (VGS (th)ని టర్న్-ఆన్ వోల్టేజ్ అంటారు, ఎందుకంటే ఈ సమయంలో గేట్ వోల్టేజ్ సాపేక్షంగా బలంగా ఉంది, P-రకం సెమీకండక్టర్ ఉపరితల పొరలో గేట్ దిగువన ఉన్న గేట్ దిగువన మరింతగా సేకరించబడుతుంది. ఎలక్ట్రాన్లు, మీరు ఒక కందకం, కాలువ మరియు కమ్యూనికేషన్ యొక్క మూలాన్ని ఏర్పరచవచ్చు. ఈ సమయంలో డ్రెయిన్ సోర్స్ వోల్టేజ్ జోడించబడితే, డ్రెయిన్ కరెంట్ IDగా ఏర్పడుతుంది. గేట్ క్రింద ఏర్పడిన వాహక ఛానెల్‌లోని ఎలక్ట్రాన్లు, P-రకం సెమీకండక్టర్ ధ్రువణతతో క్యారియర్ రంధ్రం ఎదురుగా ఉన్నందున, దీనిని యాంటీ-టైప్ లేయర్ అంటారు. VGS పెరుగుతూనే ఉన్నందున, ID పెరుగుతూనే ఉంటుంది. VGS = 0V వద్ద ID = 0, మరియు డ్రెయిన్ కరెంట్ VGS > VGS(th) తర్వాత మాత్రమే జరుగుతుంది, కాబట్టి, ఈ రకమైన MOSFETని మెరుగుదల MOSFET అంటారు.

డ్రెయిన్ కరెంట్‌పై VGS యొక్క నియంత్రణ సంబంధాన్ని వక్రరేఖ ద్వారా వర్ణించవచ్చు iD = f(VGS(th))|VDS=const, దీనిని బదిలీ లక్షణ వక్రరేఖ అని పిలుస్తారు మరియు బదిలీ లక్షణం వక్రరేఖ యొక్క వాలు పరిమాణం, gm, గేట్ సోర్స్ వోల్టేజ్ ద్వారా కాలువ కరెంట్ యొక్క నియంత్రణను ప్రతిబింబిస్తుంది. gm యొక్క పరిమాణం mA/V, కాబట్టి gmని ట్రాన్స్‌కండక్టెన్స్ అని కూడా అంటారు.