MOSFET వైఫల్యానికి కారణాలు మరియు నివారణ

గేట్ వోల్టేజ్ వైఫల్యం

అసాధారణంగా అధిక గ్రిడ్ వోల్టేజీలకు మూడు ప్రధాన కారణాలు ఉన్నాయి: ఉత్పత్తి, రవాణా మరియు అసెంబ్లీ సమయంలో స్థిర విద్యుత్; పవర్ సిస్టమ్ ఆపరేషన్ సమయంలో పరికరాలు మరియు సర్క్యూట్ల యొక్క పరాన్నజీవి పారామితుల ద్వారా ఉత్పత్తి చేయబడిన అధిక వోల్టేజ్ ప్రతిధ్వని; మరియు అధిక వోల్టేజ్ షాక్‌ల సమయంలో Ggd ద్వారా అధిక వోల్టేజ్‌ని గ్రిడ్‌కి ప్రసారం చేయడం (మెరుపు సమ్మె పరీక్ష సమయంలో ఎక్కువగా కనిపించే లోపం).

గేట్ వోల్టేజ్ లోపాలను నివారించడానికి చర్యలు:

గేట్ మరియు సోర్స్ మధ్య ఓవర్‌వోల్టేజ్ ప్రొటెక్షన్: గేట్ మరియు సోర్స్ మధ్య ఇంపెడెన్స్ చాలా ఎక్కువగా ఉన్నప్పుడు, గేట్ మరియు సోర్స్ మధ్య వోల్టేజ్‌లో ఆకస్మిక మార్పు ఎలక్ట్రోడ్‌ల మధ్య కెపాసిటెన్స్ ద్వారా గేట్‌కి జతచేయబడుతుంది, ఫలితంగా చాలా ఎక్కువ UGS వోల్టేజ్ ఓవర్-రెగ్యులేషన్ ఏర్పడుతుంది, గేట్ యొక్క అధిక-నియంత్రణకు దారితీస్తుంది. శాశ్వత ఆక్సీకరణ నష్టం. UGS సానుకూల తాత్కాలిక వోల్టేజ్‌లో ఉన్నట్లయితే, పరికరం లోపాలను కూడా కలిగిస్తుంది. దీని ఆధారంగా, గేట్ డ్రైవ్ సర్క్యూట్ యొక్క ఇంపెడెన్స్ తగిన విధంగా తగ్గించబడాలి మరియు గేట్ మరియు మూలం మధ్య డంపింగ్ రెసిస్టర్ లేదా 20V స్థిరీకరణ వోల్టేజ్ కనెక్ట్ చేయాలి. ఓపెన్ డోర్ ఆపరేషన్ నిరోధించడానికి ప్రత్యేక శ్రద్ధ తీసుకోవాలి.

ఉత్సర్గ గొట్టాల మధ్య ఓవర్‌వోల్టేజ్ రక్షణ: సర్క్యూట్‌లో ఇండక్టర్ ఉన్నట్లయితే, యూనిట్ ఆఫ్ చేయబడినప్పుడు లీకేజ్ కరెంట్ (di/dt)లో ఆకస్మిక మార్పులు సరఫరా వోల్టేజ్ కంటే ఎక్కువగా లీకేజ్ వోల్టేజ్ ఓవర్‌షూట్‌లకు దారితీస్తాయి, దీని వలన యూనిట్‌కు నష్టం జరుగుతుంది. రక్షణలో జెనర్ బిగింపు, RC బిగింపు లేదా RC సప్రెషన్ సర్క్యూట్ ఉండాలి.