MOSFETలు ఎలా పని చేస్తాయి?

1, MOSFETపరిచయం

ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ సంక్షిప్తీకరణ (FET)) టైటిల్ MOSFET. బహుళ-పోల్ ట్రాన్సిస్టర్ అని కూడా పిలువబడే ఉష్ణ వాహకతలో పాల్గొనడానికి తక్కువ సంఖ్యలో వాహకాల ద్వారా. ఇది వోల్టేజ్ మాస్టరింగ్ రకం సెమీ సూపర్ కండక్టర్ మెకానిజంకు చెందినది. అవుట్‌పుట్ రెసిస్టెన్స్ ఎక్కువగా ఉంది (10^8 ~ 10^9Ω), తక్కువ శబ్దం, తక్కువ విద్యుత్ వినియోగం, స్టాటిక్ రేంజ్, ఇంటిగ్రేట్ చేయడం సులభం, రెండవ బ్రేక్‌డౌన్ దృగ్విషయం లేదు, సముద్రం వెడల్పు మరియు ఇతర ప్రయోజనాల భీమా పని ఇప్పుడు మారిపోయింది. బలమైన సహకారుల బైపోలార్ ట్రాన్సిస్టర్ మరియు పవర్ జంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్.

2, MOSFET లక్షణాలు

1, MOSFET అనేది వోల్టేజ్ నియంత్రణ పరికరం, ఇది VGS (గేట్ సోర్స్ వోల్టేజ్) నియంత్రణ ID (డ్రెయిన్ DC) ద్వారా;

2, MOSFET లుఅవుట్‌పుట్ DC పోల్ చిన్నది, కాబట్టి అవుట్‌పుట్ నిరోధకత పెద్దది.

3, ఇది వేడిని నిర్వహించడానికి తక్కువ సంఖ్యలో వాహకాల యొక్క అప్లికేషన్, కాబట్టి అతను స్థిరత్వం యొక్క మెరుగైన కొలతను కలిగి ఉంటాడు;

4, ఇది విద్యుత్ తగ్గింపు గుణకం యొక్క తగ్గింపు మార్గాన్ని కలిగి ఉంటుంది, ట్రయోడ్ తగ్గింపు గుణకం యొక్క తగ్గింపు మార్గాన్ని కలిగి ఉంటుంది;

5, MOSFET యాంటీ-రేడియేషన్ సామర్థ్యం;

6, శబ్దం యొక్క చెల్లాచెదురుగా ఉన్న కణాల వల్ల ఒలిగాన్ వ్యాప్తి యొక్క తప్పు చర్య లేకపోవడం వలన, శబ్దం తక్కువగా ఉంటుంది.

3, MOSFET విధి సూత్రం

MOSFET లుఒక వాక్యంలో ఆపరేటింగ్ సూత్రం, "డ్రెయిన్ - గేట్ కోసం ఛానెల్ ద్వారా ప్రవహించే ID మరియు గేట్ వోల్టేజ్ మాస్టర్ ID యొక్క రివర్స్ బయాస్ ద్వారా ఏర్పడిన pn జంక్షన్ మధ్య ఛానెల్", ఖచ్చితంగా చెప్పాలంటే, ID వెడల్పు ద్వారా ప్రవహిస్తుంది మార్గం యొక్క, అంటే, ఛానెల్ క్రాస్ సెక్షనల్ ప్రాంతం, pn జంక్షన్ యొక్క రివర్స్ బయాస్‌లో మార్పు, ఇది క్షీణత పొరను ఉత్పత్తి చేస్తుంది, ఇది విస్తరించిన వైవిధ్య నియంత్రణకు కారణం. VGS=0 యొక్క నాన్-సంతృప్త సముద్రంలో, పరివర్తన పొర యొక్క విస్తరణ చాలా పెద్దది కానందున, కాలువ-మూలం మధ్య VDS యొక్క అయస్కాంత క్షేత్రం యొక్క జోడింపు ప్రకారం, మూలం సముద్రంలో కొన్ని ఎలక్ట్రాన్లు దూరంగా లాగబడతాయి కాలువ, అనగా, కాలువ నుండి మూలానికి DC ID కార్యాచరణ ఉంది. గేట్ నుండి డ్రెయిన్ వరకు విస్తరించిన మితమైన లేయర్ ఛానెల్ మొత్తం బాడీని బ్లాక్ చేసే రకంగా, ID ని పూర్తి చేస్తుంది. ఈ ఫారమ్‌ను పించ్-ఆఫ్ అని పిలవండి. DC పవర్ కట్ కాకుండా మొత్తం అడ్డంకి యొక్క ఛానెల్‌కు పరివర్తన పొరను సూచిస్తుంది.

పరివర్తన పొరలో ఎలక్ట్రాన్లు మరియు రంధ్రాల యొక్క ఉచిత కదలిక లేనందున, ఇది ఆదర్శ రూపంలో దాదాపుగా ఇన్సులేటింగ్ లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది మరియు సాధారణ ప్రవాహం ప్రవహించడం కష్టం. కానీ అప్పుడు కాలువ మధ్య విద్యుత్ క్షేత్రం - మూలం, నిజానికి, రెండు పరివర్తన పొర పరిచయం కాలువ మరియు దిగువ భాగం సమీపంలో గేట్ పోల్, డ్రిఫ్ట్ విద్యుత్ క్షేత్రం పరివర్తన పొర ద్వారా అధిక వేగం ఎలక్ట్రాన్లు లాగుతుంది ఎందుకంటే. డ్రిఫ్ట్ ఫీల్డ్ యొక్క తీవ్రత ID దృశ్యం యొక్క సంపూర్ణతను ఉత్పత్తి చేయడంలో దాదాపు స్థిరంగా ఉంటుంది.

సర్క్యూట్ మెరుగుపరచబడిన P-ఛానల్ MOSFET మరియు మెరుగుపరచబడిన N-ఛానల్ MOSFET కలయికను ఉపయోగిస్తుంది. ఇన్‌పుట్ తక్కువగా ఉన్నప్పుడు, P-ఛానల్ MOSFET నిర్వహిస్తుంది మరియు అవుట్‌పుట్ విద్యుత్ సరఫరా యొక్క సానుకూల టెర్మినల్‌కు కనెక్ట్ చేయబడుతుంది. ఇన్‌పుట్ ఎక్కువగా ఉన్నప్పుడు, N-ఛానల్ MOSFET నిర్వహిస్తుంది మరియు అవుట్‌పుట్ విద్యుత్ సరఫరా గ్రౌండ్‌కు కనెక్ట్ చేయబడుతుంది. ఈ సర్క్యూట్‌లో, P-ఛానల్ MOSFET మరియు N-ఛానల్ MOSFET ఎల్లప్పుడూ వ్యతిరేక రాష్ట్రాలలో పనిచేస్తాయి, వాటి దశ ఇన్‌పుట్‌లు మరియు అవుట్‌పుట్‌లు రివర్స్ చేయబడతాయి.