అధిక-శక్తి MOSFET బర్న్‌అవుట్ ద్వారా కాలిపోయిందని ఎలా గుర్తించాలి

(1) MOSFET అనేది వోల్టేజ్-మానిప్యులేటింగ్ ఎలిమెంట్, అయితే ట్రాన్సిస్టర్ అనేది కరెంట్-మానిప్యులేటింగ్ ఎలిమెంట్. డ్రైవింగ్ సామర్థ్యం అందుబాటులో లేదు, డ్రైవ్ కరెంట్ చాలా తక్కువగా ఉంది, ఎంచుకోవాలిMOSFET; మరియు సిగ్నల్ వోల్టేజ్ లో తక్కువ, మరియు ఎలక్ట్రిక్ ఫిషింగ్ మెషిన్ డ్రైవ్ దశ పరిస్థితుల నుండి మరింత ప్రస్తుత తీసుకోవాలని వాగ్దానం, ట్రాన్సిస్టర్ ఎంపిక చేయాలి.

(2) MOSFET అనేది చాలా క్యారియర్‌ల వాహక వినియోగం, దీనిని యూనిపోలార్ పరికరం అని పిలుస్తారు, అయితే ట్రాన్సిస్టర్‌లో ఎక్కువ సంఖ్యలో క్యారియర్‌లు ఉన్నాయి, కానీ తక్కువ సంఖ్యలో వాహక వాహకాలను కూడా ఉపయోగించడం. దీనిని బైపోలార్ పరికరం అంటారు.

(3) కొన్నిMOSFET గేట్ వోల్టేజీని ఉపయోగించడం కోసం మూలం మరియు కాలువను మార్చుకోవచ్చు, సానుకూలంగా లేదా ప్రతికూలంగా ఉండవచ్చు, ట్రాన్సిస్టర్ కంటే వశ్యత మంచిది.

(4) MOSFET చాలా చిన్న కరెంట్ మరియు చాలా తక్కువ వోల్టేజ్ పరిస్థితులలో పనిచేయగలదు మరియు దాని ఉత్పత్తి ప్రక్రియ అనేక MOSFETలను సిలికాన్ చిప్‌లో ఏకీకృతం చేయడానికి చాలా సౌకర్యవంతంగా ఉంటుంది, కాబట్టి పెద్ద-స్థాయి ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లలో MOSFETలు విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతున్నాయి.

(5) MOSFET అధిక ఇన్‌పుట్ ఇంపెడెన్స్ మరియు తక్కువ శబ్దం యొక్క ప్రయోజనాలను కలిగి ఉంది, కాబట్టి ఇది వివిధ రకాల ఎలక్ట్రానిక్ ట్రాప్ పరికరాలలో కూడా విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది. ముఖ్యంగా ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్యూబ్‌తో మొత్తం ఎలక్ట్రానిక్ ఎక్విప్‌మెంట్ ఇన్‌పుట్, అవుట్‌పుట్ స్టేజ్ చేయడానికి, సాధారణ ట్రాన్సిస్టర్‌ని పొందడం వల్ల ఫంక్షన్‌ని చేరుకోవడం కష్టం.

(6)MOSFETలు రెండు వర్గాలుగా విభజించబడ్డాయి: ఎరుపు జంక్షన్ రకం మరియు ఇన్సులేటెడ్ గేట్ రకం మరియు వాటి మానిప్యులేషన్ సూత్రాలు ఒకే విధంగా ఉంటాయి.

వాస్తవానికి, ట్రయోడ్ చౌకైనది మరియు ఉపయోగించడానికి మరింత సౌకర్యవంతంగా ఉంటుంది, సాధారణంగా పాత తక్కువ-ఫ్రీక్వెన్సీ ఫిషర్‌లలో ఉపయోగించబడుతుంది, అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ హై-స్పీడ్ సర్క్యూట్‌ల కోసం MOSFET, అధిక-ప్రస్తుత సందర్భాలలో, కాబట్టి కొత్త రకం హై-ఫ్రీక్వెన్సీ అల్ట్రాసోనిక్ ఫిషర్లు, అవసరం అనేదిపెద్ద MOS. సాధారణంగా చెప్పాలంటే, తక్కువ-ధర సందర్భాలలో, ట్రాన్సిస్టర్‌ల వినియోగాన్ని పరిగణనలోకి తీసుకునే మొదటి సాధారణ ఉపయోగం, మీరు MOSని పరిగణించాలనుకుంటే కాదు.

MOSFET అనేది బ్రేక్‌డౌన్ కారణాలు మరియు పరిష్కారాలు క్రింది విధంగా ఉన్నాయి

మొదట, MOSFET యొక్క ఇన్‌పుట్ నిరోధకత చాలా ఎక్కువగా ఉంటుంది మరియు గేట్ - సోర్స్ ఇంటర్-ఎలక్ట్రోడ్ కెపాసిటెన్స్ చాలా తక్కువగా ఉంటుంది, కాబట్టి ఇది బాహ్య విద్యుదయస్కాంత క్షేత్రాలు లేదా ఎలెక్ట్రోస్టాటిక్ ఇండక్టెన్స్‌కు చాలా అవకాశం ఉంది మరియు ఛార్జ్ చేయబడుతుంది మరియు తక్కువ మొత్తంలో ఛార్జ్ ఏర్పడుతుంది. తగిన విధంగా అధిక వోల్టేజ్ (U = Q / C) యొక్క ఇంటర్-ఎలక్ట్రోడ్ కెపాసిటెన్స్‌లో, ట్యూబ్ దెబ్బతింటుంది. ఎలక్ట్రిక్ ఫిషింగ్ మెషిన్ యొక్క MOS ఇన్‌పుట్ యాంటీ-స్టాటిక్ మెయింటెనెన్స్ చర్యలను కలిగి ఉన్నప్పటికీ, ఇంకా జాగ్రత్తగా వ్యవహరించాల్సిన అవసరం ఉన్నప్పటికీ, ఉత్తమ మెటల్ కంటైనర్‌లు లేదా వాహక పదార్థాల ప్యాకేజింగ్ నిల్వ మరియు డెలివరీలో, స్టాటిక్ హై వోల్టేజ్‌పై దాడి చేయడానికి సులభంగా ఉంచవద్దు. రసాయన పదార్థాలు లేదా రసాయన ఫైబర్ బట్టలు. అసెంబ్లీ, కమీషనింగ్, విషయాలు, ప్రదర్శన, వర్క్‌స్టేషన్ మొదలైనవి అత్యుత్తమ గ్రౌండింగ్‌గా ఉండాలి. ఆపరేటర్ యొక్క ఎలెక్ట్రోస్టాటిక్ జోక్యం నష్టాన్ని నివారించడానికి, ఇంటిగ్రేటెడ్ బ్లాక్‌ను తాకడానికి ముందు నైలాన్, కెమికల్ ఫైబర్ దుస్తులు, చేతి లేదా ఏదైనా ధరించకూడదు, భూమిని కనెక్ట్ చేయడం ఉత్తమం. పరికరాలు లీడ్ స్ట్రెయిటెనింగ్ మరియు బెండింగ్ లేదా మాన్యువల్ వెల్డింగ్‌కు, అత్యుత్తమ గ్రౌండింగ్‌కు పరికరాలను ఉపయోగించడం అవసరం.