సాధారణంగా ఉపయోగించే అధిక-పవర్ MOSFETల పని సూత్రానికి పరిచయం

నేడు సాధారణంగా ఉపయోగించే అధిక శక్తిపైMOSFETదాని పని సూత్రాన్ని క్లుప్తంగా పరిచయం చేయడానికి. ఇది తన స్వంత పనిని ఎలా గ్రహించిందో చూడండి.

మెటల్-ఆక్సైడ్-సెమీకండక్టర్ అంటే, మెటల్-ఆక్సైడ్-సెమీకండక్టర్, సరిగ్గా, ఈ పేరు ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లోని MOSFET యొక్క నిర్మాణాన్ని వివరిస్తుంది, అంటే: సెమీకండక్టర్ పరికరం యొక్క నిర్దిష్ట నిర్మాణంలో, సిలికాన్ డయాక్సైడ్ మరియు మెటల్‌తో కలిపి, ఏర్పడటం ద్వారం యొక్క.

MOSFET యొక్క మూలం మరియు కాలువ వ్యతిరేకం, రెండూ P-రకం బ్యాక్‌గేట్‌లో ఏర్పడిన N-రకం జోన్‌లు. చాలా సందర్భాలలో, రెండు ప్రాంతాలు ఒకే విధంగా ఉంటాయి, సర్దుబాటు యొక్క రెండు చివరలు పరికరం యొక్క పనితీరును ప్రభావితం చేయకపోయినా, అటువంటి పరికరం సుష్టంగా పరిగణించబడుతుంది.

వర్గీకరణ: ప్రతి N-ఛానల్ మరియు P-ఛానల్ రెండు యొక్క ఛానెల్ మెటీరియల్ రకం మరియు ఇన్సులేటెడ్ గేట్ రకం ప్రకారం; వాహక విధానం ప్రకారం: MOSFET క్షీణత మరియు మెరుగుదలగా విభజించబడింది, కాబట్టి MOSFET N-ఛానల్ క్షీణత మరియు మెరుగుదలగా విభజించబడింది; P-ఛానల్ క్షీణత మరియు నాలుగు ప్రధాన వర్గాల మెరుగుదల.

MOSFET ఆపరేషన్ సూత్రం - యొక్క నిర్మాణ లక్షణాలుMOSFETఇది వాహకంలో చేరి ఉన్న ఒక ధ్రువణ వాహకాలను (పాలిస్) మాత్రమే నిర్వహిస్తుంది, ఇది ఒక యూనిపోలార్ ట్రాన్సిస్టర్. కండక్టింగ్ మెకానిజం తక్కువ-పవర్ MOSFET లాగానే ఉంటుంది, కానీ నిర్మాణంలో పెద్ద తేడా ఉంది, తక్కువ-పవర్ MOSFET అనేది సమాంతర వాహక పరికరం, చాలా పవర్ MOSFET నిలువు వాహక నిర్మాణం, దీనిని VMOSFET అని కూడా పిలుస్తారు, ఇది MOSFETని బాగా మెరుగుపరుస్తుంది. పరికరం వోల్టేజ్ మరియు కరెంట్ తట్టుకోగల సామర్థ్యం. ప్రధాన లక్షణం ఏమిటంటే, మెటల్ గేట్ మరియు ఛానల్ మధ్య సిలికా ఇన్సులేషన్ పొర ఉంది మరియు అందువల్ల అధిక ఇన్‌పుట్ నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది, ట్యూబ్ n-రకం వాహక ఛానెల్‌ని రూపొందించడానికి n విస్తరణ జోన్ యొక్క రెండు అధిక సాంద్రతలలో నిర్వహిస్తుంది. n-ఛానల్ మెరుగుదల MOSFETలు తప్పనిసరిగా గేట్‌కు ఫార్వర్డ్ బయాస్‌తో వర్తింపజేయాలి మరియు గేట్ సోర్స్ వోల్టేజ్ n-ఛానల్ MOSFET ద్వారా ఉత్పత్తి చేయబడిన వాహక ఛానెల్ యొక్క థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్ కంటే ఎక్కువగా ఉన్నప్పుడు మాత్రమే. n-ఛానల్ క్షీణత రకం MOSFETలు n-ఛానల్ MOSFETలు, దీనిలో గేట్ వోల్టేజ్ వర్తించనప్పుడు వాహక ఛానెల్‌లు ఉత్పత్తి చేయబడతాయి (గేట్ సోర్స్ వోల్టేజ్ సున్నా).

MOSFET యొక్క ఆపరేషన్ సూత్రం ఏమిటంటే, "ప్రేరిత ఛార్జ్" ద్వారా ఏర్పడిన వాహక ఛానల్ యొక్క స్థితిని మార్చడానికి VGSని ఉపయోగించడం ద్వారా "ప్రేరిత ఛార్జ్" మొత్తాన్ని నియంత్రించడం, ఆపై కాలువ కరెంట్‌ను నియంత్రించే ప్రయోజనాన్ని సాధించడం. గొట్టాల తయారీలో, పెద్ద సంఖ్యలో సానుకూల అయాన్ల ఆవిర్భావంలో పొరను ఇన్సులేట్ చేసే ప్రక్రియ ద్వారా, ఇంటర్ఫేస్ యొక్క మరొక వైపు మరింత ప్రతికూల చార్జ్‌ను ప్రేరేపించవచ్చు, ఈ ప్రతికూల ఛార్జీలు N లోని మలినాలను అధిక చొచ్చుకుపోయేలా చేస్తాయి. వాహక ఛానెల్ ఏర్పడటానికి అనుసంధానించబడిన ప్రాంతం, VGS = 0లో కూడా పెద్ద లీకేజ్ కరెంట్ ID కూడా ఉంది. గేట్ వోల్టేజ్ మార్చబడినప్పుడు, ఛానెల్‌లో ప్రేరేపించబడిన ఛార్జ్ మొత్తం కూడా మార్చబడుతుంది మరియు ఛానెల్ యొక్క వాహక ఛానెల్ వెడల్పు మరియు ఇరుకైన మరియు మార్పు, తద్వారా గేట్ వోల్టేజ్‌తో లీకేజ్ కరెంట్ ID. ప్రస్తుత ID గేట్ వోల్టేజ్‌తో మారుతుంది.

ఇప్పుడు అప్లికేషన్MOSFETమన జీవన నాణ్యతను మెరుగుపరుస్తూ ప్రజల అభ్యాసాన్ని, పని సామర్థ్యాన్ని బాగా మెరుగుపరిచింది. మేము కొన్ని సాధారణ అవగాహన ద్వారా దాని గురించి మరింత హేతుబద్ధమైన అవగాహనను కలిగి ఉన్నాము. ఇది ఒక సాధనంగా మాత్రమే కాకుండా, దాని లక్షణాలపై మరింత అవగాహన, పని సూత్రం, ఇది మాకు చాలా వినోదాన్ని ఇస్తుంది.