MOSFET ఎంపిక | N-ఛానల్ MOSFET నిర్మాణ సూత్రాలు

సాధారణంగా పిలువబడే క్రిస్టల్ ట్రాన్సిస్టర్ యొక్క మెటల్-ఆక్సైడ్-సెమీకండక్టర్ నిర్మాణంMOSFET, ఇక్కడ MOSFETలు P-రకం MOSFETలు మరియు N-రకం MOSFETలుగా విభజించబడ్డాయి. MOSFETలతో కూడిన ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లను MOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు అని కూడా పిలుస్తారు మరియు PMOSFETలతో కూడిన దగ్గరి సంబంధం ఉన్న MOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు మరియుNMOSFETలు CMOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు అంటారు.

అధిక సాంద్రత విలువలతో p-రకం సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు రెండు n-వ్యాప్తి ప్రాంతాలతో కూడిన MOSFETని n-ఛానల్ అంటారు.MOSFET, మరియు n-రకం వాహక ఛానల్ వల్ల కలిగే వాహక ఛానల్ ట్యూబ్ నిర్వహించినప్పుడు అధిక సాంద్రత విలువలతో రెండు n-వ్యాప్తి మార్గాల్లోని n-వ్యాప్తి మార్గాల ద్వారా ఏర్పడుతుంది. n-ఛానల్ మందంగా ఉన్న MOSFETలు గేట్ వద్ద సాధ్యమైనంత వరకు సానుకూల దిశాత్మక పక్షపాతాన్ని పెంచినప్పుడు మరియు గేట్ సోర్స్ ఆపరేషన్‌కు థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్‌ని మించిన ఆపరేటింగ్ వోల్టేజ్ అవసరమైనప్పుడు మాత్రమే వాహక ఛానల్ ద్వారా ఏర్పడే n-ఛానల్‌ను కలిగి ఉంటుంది. n-ఛానల్ క్షీణత MOSFETలు గేట్ వోల్టేజ్‌కు సిద్ధంగా లేనివి (గేట్ సోర్స్ ఆపరేషన్‌కు సున్నా యొక్క ఆపరేటింగ్ వోల్టేజ్ అవసరం). n-ఛానల్ లైట్ డిప్లీషన్ MOSFET అనేది n-ఛానల్ MOSFET, దీనిలో గేట్ వోల్టేజ్ (గేట్ సోర్స్ ఆపరేటింగ్ అవసరం ఆపరేటింగ్ వోల్టేజ్ సున్నా) సిద్ధం కానప్పుడు వాహక ఛానల్ ఏర్పడుతుంది.

NMOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు N-ఛానల్ MOSFET పవర్ సప్లై సర్క్యూట్, NMOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు, ఇన్‌పుట్ రెసిస్టెన్స్ చాలా ఎక్కువగా ఉంటుంది, అధిక శాతం మంది పవర్ ఫ్లో యొక్క శోషణను జీర్ణించుకోవలసిన అవసరం లేదు, అందువలన CMOSFET మరియు NMOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు తీసుకోవలసిన అవసరం లేకుండా కనెక్ట్ చేయబడ్డాయి. విద్యుత్ ప్రవాహం యొక్క లోడ్‌ను పరిగణనలోకి తీసుకుంటుంది.NMOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు, ఎంపికలో ఎక్కువ భాగం సింగిల్-గ్రూప్ పాజిటివ్ స్విచింగ్ పవర్ సప్లై సర్క్యూట్ పవర్ సప్లై సర్క్యూట్‌లలో ఎక్కువ భాగం NMOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు ఒకే పాజిటివ్ స్విచింగ్ పవర్ సప్లై సర్క్యూట్ పవర్ సప్లై సర్క్యూట్‌ను ఉపయోగిస్తాయి మరియు మరిన్నింటికి 9Vకి. CMOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు NMOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌ల వలె స్విచ్చింగ్ పవర్ సప్లై సర్క్యూట్ పవర్ సప్లై సర్క్యూట్‌ను మాత్రమే ఉపయోగించాలి, వెంటనే NMOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లతో కనెక్ట్ చేయవచ్చు. అయినప్పటికీ, NMOSFET నుండి CMOSFETకి వెంటనే కనెక్ట్ చేయబడింది, ఎందుకంటే NMOSFET అవుట్‌పుట్ పుల్-అప్ రెసిస్టెన్స్ CMOSFET ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్ కీడ్ పుల్-అప్ రెసిస్టెన్స్ కంటే తక్కువగా ఉంటుంది, కాబట్టి సంభావ్య తేడా పుల్-అప్ రెసిస్టర్ Rని వర్తింపజేయడానికి ప్రయత్నించండి, రెసిస్టర్ R విలువ సాధారణంగా 2 నుండి 100KΩ.

N-ఛానల్ మందమైన MOSFETల నిర్మాణం
తక్కువ డోపింగ్ ఏకాగ్రత విలువ కలిగిన P-రకం సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్‌పై, అధిక డోపింగ్ ఏకాగ్రత విలువ కలిగిన రెండు N ప్రాంతాలు తయారు చేయబడతాయి మరియు రెండు ఎలక్ట్రోడ్‌లు వరుసగా డ్రెయిన్ d మరియు మూలం sగా పనిచేయడానికి అల్యూమినియం మెటల్ నుండి బయటకు తీయబడతాయి.

అప్పుడు సెమీకండక్టర్ కాంపోనెంట్ ఉపరితలంలో సిలికా ఇన్సులేటింగ్ ట్యూబ్ యొక్క చాలా పలుచని పొరను మాస్కింగ్ చేస్తుంది, డ్రెయిన్‌లో - డ్రెయిన్ మరియు సోర్స్ ఇన్సులేటింగ్ ట్యూబ్ మధ్య మరొక అల్యూమినియం ఎలక్ట్రోడ్, గేట్ గ్రా.

సబ్‌స్ట్రేట్‌లో ఒక ఎలక్ట్రోడ్ B కూడా దారి తీస్తుంది, ఇందులో N-ఛానల్ మందపాటి MOSFET ఉంటుంది. MOSFET మూలం మరియు సబ్‌స్ట్రేట్ సాధారణంగా ఒకదానితో ఒకటి అనుసంధానించబడి ఉంటాయి, కర్మాగారంలోని పైప్‌లో ఎక్కువ భాగం చాలా కాలంగా దానికి అనుసంధానించబడి ఉంది, దాని గేట్ మరియు ఇతర ఎలక్ట్రోడ్‌లు కేసింగ్ మధ్య ఇన్సులేట్ చేయబడతాయి.