N రకం, P రకం MOSFET సారాంశం యొక్క పని సూత్రం ఒకటే, MOSFET అనేది డ్రెయిన్ కరెంట్ యొక్క అవుట్‌పుట్ వైపు విజయవంతంగా నియంత్రించడానికి గేట్ వోల్టేజ్ యొక్క ఇన్‌పుట్ వైపుకు ప్రధానంగా జోడించబడుతుంది, MOSFET జోడించిన వోల్టేజ్ ద్వారా వోల్టేజ్-నియంత్రిత పరికరం. పరికరం యొక్క లక్షణాలను నియంత్రించడానికి గేట్‌కు, ఛార్జ్ స్టోరేజ్ ప్రభావం వల్ల ఏర్పడే బేస్ కరెంట్ కారణంగా మారే సమయాన్ని చేయడానికి ట్రైయోడ్ కాకుండా, అప్లికేషన్‌లను మార్చడంలో, MOSFET యొక్క స్విచ్ అప్లికేషన్‌లలో,MOSFET లు మారే వేగం ట్రయోడ్ కంటే వేగంగా ఉంటుంది.
స్విచ్చింగ్ పవర్ సప్లైలో, సాధారణంగా ఉపయోగించే MOSFET ఓపెన్ డ్రెయిన్ సర్క్యూట్, డ్రెయిన్ ఓపెన్ డ్రెయిన్, ఓపెన్ డ్రెయిన్ సర్క్యూట్ అని పిలువబడే లోడ్‌కి కనెక్ట్ చేయబడింది, లోడ్ ఎంత ఎక్కువ వోల్టేజీని ఆన్ చేయగలదో, ఆఫ్ చేయగలదో దానికి కనెక్ట్ చేయబడింది. లోడ్ కరెంట్ అనేది ఆదర్శవంతమైన అనలాగ్ స్విచింగ్ పరికరం, ఇది స్విచింగ్ పరికరాలను చేయడానికి MOSFET యొక్క సూత్రం, మరిన్ని సర్క్యూట్‌ల రూపంలో మారడం MOSFET.
విద్యుత్ సరఫరా అనువర్తనాలను మార్చే విషయంలో, ఈ అప్లికేషన్ అవసరం MOSFETలు ప్రాథమిక బక్ కన్వర్టర్‌లో సాధారణంగా ఉపయోగించే DC-DC విద్యుత్ సరఫరా వంటి వాటిని క్రమానుగతంగా నిర్వహించడం, ఆఫ్ చేయడం వంటివి స్విచింగ్ ఫంక్షన్‌ని నిర్వహించడానికి రెండు MOSFETలపై ఆధారపడతాయి, ఇవి శక్తిని నిల్వ చేయడానికి, లోడ్‌కు శక్తిని విడుదల చేయడానికి ఇండక్టర్‌లో ప్రత్యామ్నాయంగా మారతాయి. వందల kHz లేదా 1 MHz కంటే ఎక్కువ, ప్రధానంగా పౌనఃపున్యం ఎక్కువగా ఉన్నందున, అయస్కాంత భాగాలు చిన్నవిగా ఉంటాయి. సాధారణ ఆపరేషన్ సమయంలో, MOSFET కండక్టర్‌కు సమానం, ఉదాహరణకు, అధిక-శక్తి MOSFETలు, చిన్న-వోల్టేజ్ MOSFETలు, సర్క్యూట్‌లు, విద్యుత్ సరఫరా అనేది MOS యొక్క కనిష్ట ప్రసరణ నష్టం.
MOSFET PDF పారామితులు, MOSFET తయారీదారులు ఆన్-స్టేట్ ఇంపెడెన్స్‌ను నిర్వచించడానికి RDS (ON) పరామితిని విజయవంతంగా స్వీకరించారు, అప్లికేషన్‌లను మార్చడానికి, RDS (ON) అనేది అత్యంత ముఖ్యమైన పరికరం లక్షణం; డేటాషీట్‌లు RDS (ON), గేట్ (లేదా డ్రైవ్) వోల్టేజ్ VGSని నిర్వచించాయి మరియు స్విచ్ ద్వారా ప్రవహించే కరెంట్ సంబంధితంగా ఉంటుంది, తగినంత గేట్ డ్రైవ్ కోసం, RDS (ON) అనేది సాపేక్షంగా స్టాటిక్ పరామితి; వాహకతలో ఉన్న MOSFETలు ఉష్ణ ఉత్పత్తికి అవకాశం కలిగి ఉంటాయి మరియు నెమ్మదిగా పెరుగుతున్న జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రతలు RDS (ON)లో పెరుగుదలకు దారితీయవచ్చు;MOSFET డేటాషీట్‌లు థర్మల్ ఇంపెడెన్స్ పరామితిని పేర్కొంటాయి, ఇది MOSFET ప్యాకేజీ యొక్క సెమీకండక్టర్ జంక్షన్ యొక్క వేడిని వెదజల్లగల సామర్థ్యంగా నిర్వచించబడింది మరియు RθJC కేవలం జంక్షన్-టు-కేస్ థర్మల్ ఇంపెడెన్స్‌గా నిర్వచించబడుతుంది.
1, పౌనఃపున్యం చాలా ఎక్కువగా ఉంటుంది, కొన్నిసార్లు వాల్యూమ్‌ను ఎక్కువగా అనుసరించడం, నేరుగా అధిక పౌనఃపున్యానికి దారి తీస్తుంది, నష్టం పెరుగుతుంది, ఎక్కువ వేడి, తగినంత ఉష్ణ వెదజల్లడం రూపకల్పన, అధిక కరెంట్, నామమాత్రపు మంచి పనిని చేయవద్దు MOSFET యొక్క ప్రస్తుత విలువ, సాధించగలిగేలా మంచి వేడి వెదజల్లడం అవసరం; ID గరిష్ట కరెంట్ కంటే తక్కువగా ఉంది, తీవ్రమైన వేడి కావచ్చు, తగిన సహాయక హీట్‌సింక్‌ల అవసరం.
2, MOSFET ఎంపిక లోపాలు మరియు పవర్ జడ్జిమెంట్‌లో లోపాలు, MOSFET అంతర్గత నిరోధం పూర్తిగా పరిగణించబడదు, MOSFET తాపన సమస్యలతో వ్యవహరించేటప్పుడు నేరుగా స్విచ్చింగ్ ఇంపెడెన్స్ పెరగడానికి దారి తీస్తుంది.
3, సర్క్యూట్ డిజైన్ సమస్యల కారణంగా, వేడి ఏర్పడుతుంది, తద్వారా MOSFET స్విచింగ్ స్థితిలో కాకుండా సరళ ఆపరేటింగ్ స్థితిలో పని చేస్తుంది, ఇది MOSFET తాపనానికి ప్రత్యక్ష కారణం, ఉదాహరణకు, N-MOS డు స్విచింగ్, G- స్థాయి వోల్టేజ్ విద్యుత్ సరఫరా కంటే కొన్ని V ద్వారా ఎక్కువగా ఉండాలి, పూర్తిగా వాహకత సాధించాలంటే, P-MOS భిన్నంగా ఉంటుంది; పూర్తిగా ఓపెన్ లేనప్పుడు, వోల్టేజ్ డ్రాప్ చాలా పెద్దది, దీని వలన విద్యుత్ వినియోగం, సమానమైన DC ఇంపెడెన్స్ పెద్దది, వోల్టేజ్ డ్రాప్ కూడా పెరుగుతుంది, U * I కూడా పెరుగుతుంది, నష్టం వేడికి దారి తీస్తుంది.
పోస్ట్ సమయం: ఆగస్ట్-01-2024
