"MOSFET" అనేది మెటల్ ఆక్సైడ్ సెమీకోడక్టర్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ యొక్క సంక్షిప్తీకరణ. ఇది మూడు పదార్థాలతో తయారు చేయబడిన పరికరం: మెటల్, ఆక్సైడ్ (SiO2 లేదా SiN) మరియు సెమీకండక్టర్. MOSFET సెమీకండక్టర్ ఫీల్డ్‌లోని అత్యంత ప్రాథమిక పరికరాలలో ఒకటి. ఇది IC డిజైన్ లేదా బోర్డు-స్థాయి సర్క్యూట్ అప్లికేషన్‌లలో అయినా, ఇది చాలా విస్తృతమైనది. MOSFET యొక్క ప్రధాన పారామీటర్లలో ID, IDM, VGSS, V(BR)DSS, RDS(on), VGS(th) మొదలైనవి ఉన్నాయి. మీకు ఇవి తెలుసా? OLUKEY కంపెనీ, విన్సోక్ తైవానీస్ మిడ్-టు-హై-ఎండ్ మీడియం మరియు లో-వోల్టేజ్MOSFETఏజెంట్ సర్వీస్ ప్రొవైడర్, MOSFET యొక్క వివిధ పారామితులను మీకు వివరంగా వివరించడానికి దాదాపు 20 సంవత్సరాల అనుభవం ఉన్న కోర్ టీమ్‌ను కలిగి ఉంది!
MOSFET పారామితుల అర్థం వివరణ
1. విపరీతమైన పారామితులు:
ID: గరిష్ట కాలువ-మూల కరెంట్. ఇది ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ సాధారణంగా పనిచేస్తున్నప్పుడు కాలువ మరియు మూలం మధ్య పాస్ చేయడానికి అనుమతించబడిన గరిష్ట కరెంట్‌ను సూచిస్తుంది. ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ యొక్క ఆపరేటింగ్ కరెంట్ IDని మించకూడదు. జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ ఈ పరామితి తగ్గుతుంది.
IDM: గరిష్ట పల్సెడ్ డ్రెయిన్-సోర్స్ కరెంట్. జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ ఈ పరామితి తగ్గుతుంది, ఇది ప్రభావ నిరోధకతను ప్రతిబింబిస్తుంది మరియు పల్స్ సమయానికి కూడా సంబంధించినది. ఈ పరామితి చాలా తక్కువగా ఉంటే, OCP పరీక్ష సమయంలో సిస్టమ్ కరెంట్ ద్వారా విచ్ఛిన్నమయ్యే ప్రమాదం ఉంది.
PD: గరిష్ట శక్తి వెదజల్లబడింది. ఇది ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ యొక్క పనితీరును క్షీణింపజేయకుండా అనుమతించబడిన గరిష్ట కాలువ-మూల శక్తి వెదజల్లడాన్ని సూచిస్తుంది. ఉపయోగించినప్పుడు, FET యొక్క వాస్తవ విద్యుత్ వినియోగం PDSM కంటే తక్కువగా ఉండాలి మరియు నిర్దిష్ట మార్జిన్ను వదిలివేయాలి. జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ ఈ పరామితి సాధారణంగా తగ్గుతుంది
VDSS: గరిష్ట కాలువ-మూలం వోల్టేజీని తట్టుకుంటుంది. ప్రవహించే డ్రెయిన్ కరెంట్ నిర్దిష్ట ఉష్ణోగ్రత మరియు గేట్-సోర్స్ షార్ట్ సర్క్యూట్ కింద ఒక నిర్దిష్ట విలువను (తీవ్రంగా పెరగడం) చేరుకున్నప్పుడు కాలువ-మూల వోల్టేజ్. ఈ సందర్భంలో డ్రెయిన్-సోర్స్ వోల్టేజ్‌ను అవలాంచ్ బ్రేక్డౌన్ వోల్టేజ్ అని కూడా పిలుస్తారు. VDSS సానుకూల ఉష్ణోగ్రత గుణకం ఉంది. -50°C వద్ద, VDSS 25°C వద్ద దాదాపు 90% ఉంటుంది. సాధారణ ఉత్పత్తిలో సాధారణంగా మిగిలి ఉన్న భత్యం కారణంగా, MOSFET యొక్క అవలాంచ్ బ్రేక్డౌన్ వోల్టేజ్ ఎల్లప్పుడూ నామమాత్రపు రేట్ వోల్టేజ్ కంటే ఎక్కువగా ఉంటుంది.
ఒలుకీవెచ్చని చిట్కాలు: ఉత్పత్తి విశ్వసనీయతను నిర్ధారించడానికి, చెత్త పని పరిస్థితులలో, పని వోల్టేజ్ రేట్ చేయబడిన విలువలో 80 ~ 90% మించకూడదని సిఫార్సు చేయబడింది.
VGSS: గరిష్ట గేట్-సోర్స్ వోల్టేజీని తట్టుకుంటుంది. గేట్ మరియు సోర్స్ మధ్య రివర్స్ కరెంట్ తీవ్రంగా పెరగడం ప్రారంభించినప్పుడు ఇది VGS విలువను సూచిస్తుంది. ఈ వోల్టేజ్ విలువను అధిగమించడం వలన గేట్ ఆక్సైడ్ పొర యొక్క విద్యుద్వాహక విచ్ఛిన్నం అవుతుంది, ఇది విధ్వంసక మరియు కోలుకోలేని విచ్ఛిన్నం.
TJ: గరిష్ట ఆపరేటింగ్ జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత. ఇది సాధారణంగా 150℃ లేదా 175℃. పరికర రూపకల్పన యొక్క పని పరిస్థితులలో, ఈ ఉష్ణోగ్రతను అధిగమించడం మరియు నిర్దిష్ట మార్జిన్ను వదిలివేయడం అవసరం.
TSTG: నిల్వ ఉష్ణోగ్రత పరిధి
ఈ రెండు పారామితులు, TJ మరియు TSTG, పరికరం యొక్క పని మరియు నిల్వ వాతావరణం ద్వారా అనుమతించబడిన జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పరిధిని క్రమాంకనం చేస్తాయి. పరికరం యొక్క కనీస ఆపరేటింగ్ జీవిత అవసరాలకు అనుగుణంగా ఈ ఉష్ణోగ్రత పరిధి సెట్ చేయబడింది. పరికరం ఈ ఉష్ణోగ్రత పరిధిలో పని చేస్తుందని నిర్ధారించినట్లయితే, దాని పని జీవితం బాగా పొడిగించబడుతుంది.
2. స్టాటిక్ పారామితులు
MOSFET పరీక్ష పరిస్థితులు సాధారణంగా 2.5V, 4.5V మరియు 10V.
V(BR)DSS: డ్రెయిన్-సోర్స్ బ్రేక్డౌన్ వోల్టేజ్. ఇది గేట్-సోర్స్ వోల్టేజ్ VGS 0 అయినప్పుడు ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ తట్టుకోగల గరిష్ఠ డ్రెయిన్-సోర్స్ వోల్టేజ్‌ని సూచిస్తుంది. ఇది పరిమితం చేసే పరామితి, మరియు ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్‌కి వర్తించే ఆపరేటింగ్ వోల్టేజ్ తప్పనిసరిగా V(BR) కంటే తక్కువగా ఉండాలి. DSS. ఇది సానుకూల ఉష్ణోగ్రత లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది. అందువల్ల, తక్కువ ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితుల్లో ఈ పరామితి యొక్క విలువను భద్రతా పరిగణనగా తీసుకోవాలి.
△V(BR)DSS/△Tj: డ్రెయిన్-సోర్స్ బ్రేక్డౌన్ వోల్టేజ్ యొక్క ఉష్ణోగ్రత గుణకం, సాధారణంగా 0.1V/℃
RDS(ఆన్): VGS (సాధారణంగా 10V), జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత మరియు డ్రెయిన్ కరెంట్ యొక్క నిర్దిష్ట పరిస్థితులలో, MOSFET ఆన్ చేయబడినప్పుడు కాలువ మరియు మూలం మధ్య గరిష్ట నిరోధకత. ఇది MOSFET ఆన్ చేయబడినప్పుడు వినియోగించబడే శక్తిని నిర్ణయించే చాలా ముఖ్యమైన పరామితి. జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ ఈ పరామితి సాధారణంగా పెరుగుతుంది. అందువల్ల, అత్యధిక ఆపరేటింగ్ జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత వద్ద ఈ పరామితి యొక్క విలువ నష్టం మరియు వోల్టేజ్ డ్రాప్ యొక్క గణన కోసం ఉపయోగించాలి.
VGS(వ): టర్న్-ఆన్ వోల్టేజ్ (థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్). బాహ్య గేట్ నియంత్రణ వోల్టేజ్ VGS VGS(th)ని మించిపోయినప్పుడు, కాలువ మరియు మూల ప్రాంతాల ఉపరితల విలోమ పొరలు కనెక్ట్ చేయబడిన ఛానెల్‌ను ఏర్పరుస్తాయి. అప్లికేషన్‌లలో, డ్రెయిన్ షార్ట్-సర్క్యూట్ కండిషన్‌లో ID 1 mAకి సమానంగా ఉన్నప్పుడు గేట్ వోల్టేజ్‌ను తరచుగా టర్న్-ఆన్ వోల్టేజ్ అంటారు. జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ ఈ పరామితి సాధారణంగా తగ్గుతుంది
IDSS: సంతృప్త డ్రెయిన్-సోర్స్ కరెంట్, గేట్ వోల్టేజ్ VGS=0 మరియు VDS నిర్దిష్ట విలువ అయినప్పుడు డ్రెయిన్-సోర్స్ కరెంట్. సాధారణంగా మైక్రోఅంప్ స్థాయిలో
IGSS: గేట్-సోర్స్ డ్రైవ్ కరెంట్ లేదా రివర్స్ కరెంట్. MOSFET ఇన్‌పుట్ ఇంపెడెన్స్ చాలా పెద్దది కాబట్టి, IGSS సాధారణంగా నానోఆంప్ స్థాయిలో ఉంటుంది.
3. డైనమిక్ పారామితులు
gfs: ట్రాన్స్‌కండక్టెన్స్. ఇది గేట్-సోర్స్ వోల్టేజ్‌లో మార్పుకు డ్రెయిన్ అవుట్‌పుట్ కరెంట్‌లో మార్పు యొక్క నిష్పత్తిని సూచిస్తుంది. ఇది డ్రెయిన్ కరెంట్‌ను నియంత్రించడానికి గేట్-సోర్స్ వోల్టేజ్ సామర్థ్యాన్ని కొలవడం. దయచేసి gfs మరియు VGS మధ్య బదిలీ సంబంధం కోసం చార్ట్‌ను చూడండి.
Qg: మొత్తం గేట్ ఛార్జింగ్ సామర్థ్యం. MOSFET అనేది వోల్టేజ్-రకం డ్రైవింగ్ పరికరం. డ్రైవింగ్ ప్రక్రియ అనేది గేట్ వోల్టేజ్ యొక్క స్థాపన ప్రక్రియ. గేట్ సోర్స్ మరియు గేట్ డ్రెయిన్ మధ్య కెపాసిటెన్స్‌ని ఛార్జ్ చేయడం ద్వారా ఇది సాధించబడుతుంది. ఈ అంశం క్రింద వివరంగా చర్చించబడుతుంది.
Qgs: గేట్ సోర్స్ ఛార్జింగ్ సామర్థ్యం
Qgd: గేట్-టు-డ్రెయిన్ ఛార్జ్ (మిల్లర్ ప్రభావాన్ని పరిగణనలోకి తీసుకోవడం). MOSFET అనేది వోల్టేజ్-రకం డ్రైవింగ్ పరికరం. డ్రైవింగ్ ప్రక్రియ అనేది గేట్ వోల్టేజ్ యొక్క స్థాపన ప్రక్రియ. గేట్ సోర్స్ మరియు గేట్ డ్రెయిన్ మధ్య కెపాసిటెన్స్‌ని ఛార్జ్ చేయడం ద్వారా ఇది సాధించబడుతుంది.
Td(on): ప్రసరణ ఆలస్యం సమయం. ఇన్‌పుట్ వోల్టేజ్ 10%కి పెరిగినప్పటి నుండి VDS దాని వ్యాప్తిలో 90%కి పడిపోయే వరకు
Tr: పెరుగుదల సమయం, అవుట్‌పుట్ వోల్టేజ్ VDS దాని వ్యాప్తిలో 90% నుండి 10% వరకు తగ్గే సమయం
Td(ఆఫ్): టర్న్-ఆఫ్ ఆలస్యం సమయం, ఇన్‌పుట్ వోల్టేజ్ 90%కి పడిపోయినప్పటి నుండి VDS దాని టర్న్-ఆఫ్ వోల్టేజ్‌లో 10%కి పెరిగే సమయం.
Tf: పతనం సమయం, అవుట్‌పుట్ వోల్టేజ్ VDS దాని వ్యాప్తిలో 10% నుండి 90% వరకు పెరిగే సమయం
సిస్: ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్, డ్రెయిన్ మరియు సోర్స్‌ను షార్ట్-సర్క్యూట్ చేయండి మరియు AC సిగ్నల్‌తో గేట్ మరియు సోర్స్ మధ్య కెపాసిటెన్స్‌ను కొలవండి. Ciss= CGD + CGS (CDS షార్ట్ సర్క్యూట్). ఇది పరికరం యొక్క టర్న్-ఆన్ మరియు టర్న్-ఆఫ్ ఆలస్యంపై ప్రత్యక్ష ప్రభావాన్ని చూపుతుంది.
ఖర్చు: అవుట్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్, గేట్ మరియు సోర్స్‌ను షార్ట్-సర్క్యూట్ చేయండి మరియు AC సిగ్నల్‌తో డ్రెయిన్ మరియు సోర్స్ మధ్య కెపాసిటెన్స్‌ని కొలవండి. కాస్ = CDS +CGD
Crss: రివర్స్ ట్రాన్స్మిషన్ కెపాసిటెన్స్. మూలం భూమికి అనుసంధానించబడి ఉండటంతో, కాలువ మరియు గేట్ Crss=CGD మధ్య కొలవబడిన కెపాసిటెన్స్. స్విచ్‌ల కోసం ముఖ్యమైన పారామితులలో ఒకటి పెరుగుదల మరియు పతనం సమయం. Crss=CGD
MOSFET యొక్క ఇంటర్‌ఎలక్ట్రోడ్ కెపాసిటెన్స్ మరియు MOSFET ప్రేరిత కెపాసిటెన్స్ చాలా మంది తయారీదారులచే ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్, అవుట్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్ మరియు ఫీడ్‌బ్యాక్ కెపాసిటెన్స్‌గా విభజించబడ్డాయి. కోట్ చేయబడిన విలువలు స్థిరమైన డ్రెయిన్-టు-సోర్స్ వోల్టేజ్ కోసం ఉంటాయి. డ్రెయిన్-సోర్స్ వోల్టేజ్ మారినప్పుడు ఈ కెపాసిటెన్స్‌లు మారుతాయి మరియు కెపాసిటెన్స్ విలువ పరిమిత ప్రభావాన్ని కలిగి ఉంటుంది. ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్ విలువ డ్రైవర్ సర్క్యూట్‌కు అవసరమైన ఛార్జింగ్‌కు సంబంధించిన ఉజ్జాయింపు సూచనను మాత్రమే ఇస్తుంది, అయితే గేట్ ఛార్జింగ్ సమాచారం మరింత ఉపయోగకరంగా ఉంటుంది. ఇది నిర్దిష్ట గేట్-టు-సోర్స్ వోల్టేజ్‌ను చేరుకోవడానికి గేట్ ఛార్జ్ చేయాల్సిన శక్తిని సూచిస్తుంది.
4. అవలాంచ్ బ్రేక్డౌన్ లక్షణ పారామితులు
అవలాంచ్ బ్రేక్డౌన్ క్యారెక్టరిస్టిక్ పరామితి అనేది ఆఫ్ స్టేట్‌లో ఓవర్‌వోల్టేజ్‌ని తట్టుకోగల MOSFET సామర్థ్యానికి సూచిక. వోల్టేజ్ డ్రెయిన్-సోర్స్ పరిమితి వోల్టేజీని మించి ఉంటే, పరికరం ఆకస్మిక స్థితిలో ఉంటుంది.
EAS: సింగిల్ పల్స్ అవలాంచ్ బ్రేక్డౌన్ ఎనర్జీ. ఇది పరిమితి పరామితి, ఇది MOSFET తట్టుకోగల గరిష్ట హిమపాతం విచ్ఛిన్న శక్తిని సూచిస్తుంది.
IAR: హిమపాతం కరెంట్
చెవి: పునరావృతమయ్యే అవలాంచ్ బ్రేక్డౌన్ ఎనర్జీ
5. వివో డయోడ్ పారామితులలో
IS: నిరంతర గరిష్ట ఫ్రీవీలింగ్ కరెంట్ (మూలం నుండి)
ISM: పల్స్ గరిష్ట ఫ్రీవీలింగ్ కరెంట్ (మూలం నుండి)
VSD: ఫార్వర్డ్ వోల్టేజ్ డ్రాప్
Trr: రివర్స్ రికవరీ సమయం
Qrr: రివర్స్ ఛార్జ్ రికవరీ
టన్: ఫార్వర్డ్ కండక్షన్ సమయం. (ప్రాథమికంగా అతితక్కువ)
MOSFET టర్న్-ఆన్ సమయం మరియు టర్న్-ఆఫ్ సమయం నిర్వచనం
దరఖాస్తు ప్రక్రియలో, కింది లక్షణాలను తరచుగా పరిగణించాలి:
1. V (BR) DSS యొక్క సానుకూల ఉష్ణోగ్రత గుణకం లక్షణాలు. బైపోలార్ పరికరాల నుండి భిన్నమైన ఈ లక్షణం, సాధారణ ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రతలు పెరగడంతో వాటిని మరింత విశ్వసనీయంగా చేస్తుంది. కానీ మీరు తక్కువ-ఉష్ణోగ్రత చల్లని ప్రారంభ సమయంలో దాని విశ్వసనీయతకు కూడా శ్రద్ద అవసరం.
2. V (GS) వ యొక్క ప్రతికూల ఉష్ణోగ్రత గుణకం లక్షణాలు. జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ గేట్ థ్రెషోల్డ్ పొటెన్షియల్ కొంత వరకు తగ్గుతుంది. కొంత రేడియేషన్ కూడా ఈ థ్రెషోల్డ్ సంభావ్యతను తగ్గిస్తుంది, బహుశా 0 పొటెన్షియల్ కంటే కూడా తక్కువ. ఈ లక్షణానికి ఇంజనీర్లు ఈ పరిస్థితులలో MOSFETల యొక్క జోక్యం మరియు తప్పుడు ట్రిగ్గరింగ్‌పై శ్రద్ధ వహించాల్సిన అవసరం ఉంది, ప్రత్యేకించి తక్కువ థ్రెషోల్డ్ పొటెన్షియల్‌లు కలిగిన MOSFET అప్లికేషన్‌ల కోసం. ఈ లక్షణం కారణంగా, జోక్యం మరియు తప్పుడు ట్రిగ్గర్‌ను నివారించడానికి గేట్ డ్రైవర్ యొక్క ఆఫ్-వోల్టేజ్ పొటెన్షియల్‌ను ప్రతికూల విలువకు (N-రకం, P-రకం మరియు ఇతరాలను సూచిస్తూ) రూపొందించడం కొన్నిసార్లు అవసరం.
3.VDSon/RDSo యొక్క సానుకూల ఉష్ణోగ్రత గుణకం లక్షణాలు. జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ VDSon/RDSon కొద్దిగా పెరుగుతుంది అనే లక్షణం MOSFETలను నేరుగా సమాంతరంగా ఉపయోగించడం సాధ్యపడుతుంది. ఈ విషయంలో బైపోలార్ పరికరాలు కేవలం వ్యతిరేకం, కాబట్టి వాటి ఉపయోగం సమాంతరంగా చాలా క్లిష్టంగా మారుతుంది. ID పెరిగేకొద్దీ RDSon కూడా కొద్దిగా పెరుగుతుంది. ఈ లక్షణం మరియు జంక్షన్ మరియు ఉపరితల RDSon యొక్క సానుకూల ఉష్ణోగ్రత లక్షణాలు బైపోలార్ పరికరాల వంటి ద్వితీయ విచ్ఛిన్నతను నివారించడానికి MOSFETని ఎనేబుల్ చేస్తాయి. అయితే, ఈ ఫీచర్ యొక్క ప్రభావం చాలా పరిమితం అని గమనించాలి. సమాంతరంగా, పుష్-పుల్ లేదా ఇతర అప్లికేషన్‌లలో ఉపయోగించినప్పుడు, మీరు ఈ ఫీచర్ యొక్క స్వీయ-నియంత్రణపై పూర్తిగా ఆధారపడలేరు. కొన్ని ప్రాథమిక చర్యలు ఇంకా అవసరం. అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద వాహక నష్టాలు పెద్దవి అవుతాయని కూడా ఈ లక్షణం వివరిస్తుంది. అందువల్ల, నష్టాలను లెక్కించేటప్పుడు పారామితుల ఎంపికకు ప్రత్యేక శ్రద్ధ ఉండాలి.
4. ID యొక్క ప్రతికూల ఉష్ణోగ్రత గుణకం లక్షణాలు, MOSFET పారామితులు మరియు దాని ప్రధాన లక్షణాలు ID యొక్క అవగాహన జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పెరిగేకొద్దీ గణనీయంగా తగ్గుతుంది. ఈ లక్షణం డిజైన్ సమయంలో అధిక ఉష్ణోగ్రతల వద్ద దాని ID పారామితులను పరిగణనలోకి తీసుకోవడం తరచుగా అవసరం.
5. హిమపాతం సామర్థ్యం IER/EAS యొక్క ప్రతికూల ఉష్ణోగ్రత గుణకం లక్షణాలు. జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత పెరిగిన తర్వాత, MOSFET పెద్ద V(BR)DSSని కలిగి ఉన్నప్పటికీ, EAS గణనీయంగా తగ్గుతుందని గమనించాలి. అంటే, అధిక ఉష్ణోగ్రతల పరిస్థితుల్లో హిమపాతాలను తట్టుకునే సామర్థ్యం సాధారణ ఉష్ణోగ్రతల కంటే చాలా బలహీనంగా ఉంటుంది.
6. MOSFETలోని పరాన్నజీవి డయోడ్ యొక్క ప్రసరణ సామర్ధ్యం మరియు రివర్స్ రికవరీ పనితీరు సాధారణ డయోడ్‌ల కంటే మెరుగైనవి కావు. డిజైన్‌లోని లూప్‌లో ఇది ప్రధాన కరెంట్ క్యారియర్‌గా ఉపయోగించబడుతుందని ఆశించబడదు. శరీరంలోని పరాన్నజీవి డయోడ్‌లను చెల్లుబాటు చేయకుండా నిరోధించే డయోడ్‌లు తరచుగా సిరీస్‌లో అనుసంధానించబడి ఉంటాయి మరియు సర్క్యూట్ ఎలక్ట్రికల్ క్యారియర్‌ను రూపొందించడానికి అదనపు సమాంతర డయోడ్‌లు ఉపయోగించబడతాయి. అయినప్పటికీ, స్వల్పకాలిక ప్రసరణ లేదా సింక్రోనస్ రెక్టిఫికేషన్ వంటి కొన్ని చిన్న ప్రస్తుత అవసరాల విషయంలో ఇది క్యారియర్‌గా పరిగణించబడుతుంది.
7. డ్రెయిన్ సంభావ్యత యొక్క వేగవంతమైన పెరుగుదల గేట్ డ్రైవ్ యొక్క నకిలీ-ప్రేరేపణకు కారణం కావచ్చు, కాబట్టి పెద్ద dVDS/dt అప్లికేషన్‌లలో (అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ ఫాస్ట్ స్విచింగ్ సర్క్యూట్‌లు) ఈ అవకాశాన్ని పరిగణించాలి.
పోస్ట్ సమయం: డిసెంబర్-13-2023
