MOSFETలు (మెటల్-ఆక్సైడ్-సెమీకండక్టర్ ఫీల్డ్-ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్) తరచుగా పూర్తిగా నియంత్రించబడే పరికరాలుగా పరిగణించబడతాయి. ఎందుకంటే MOSFET యొక్క ఆపరేటింగ్ స్థితి (ఆన్ లేదా ఆఫ్) పూర్తిగా గేట్ వోల్టేజ్ (Vgs) ద్వారా నియంత్రించబడుతుంది మరియు బైపోలార్ ట్రాన్సిస్టర్ (BJT) విషయంలో వలె బేస్ కరెంట్‌పై ఆధారపడదు.
MOSFETలో, గేట్ వోల్టేజ్ Vgs మూలం మరియు కాలువ మధ్య ఒక వాహక ఛానల్ ఏర్పడిందో లేదో అలాగే వాహక ఛానెల్ యొక్క వెడల్పు మరియు వాహకతను నిర్ణయిస్తుంది. Vgs థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్ Vtని మించిపోయినప్పుడు, వాహక ఛానల్ ఏర్పడుతుంది మరియు MOSFET ఆన్-స్టేట్‌లోకి ప్రవేశిస్తుంది; Vgs Vt కంటే తగ్గినప్పుడు, వాహక ఛానెల్ అదృశ్యమవుతుంది మరియు MOSFET కట్-ఆఫ్ స్థితిలో ఉంటుంది. ఈ నియంత్రణ పూర్తిగా నియంత్రించబడుతుంది ఎందుకంటే గేట్ వోల్టేజ్ ఇతర ప్రస్తుత లేదా వోల్టేజ్ పారామితులపై ఆధారపడకుండా MOSFET యొక్క ఆపరేటింగ్ స్థితిని స్వతంత్రంగా మరియు ఖచ్చితంగా నియంత్రించగలదు.
దీనికి విరుద్ధంగా, సగం-నియంత్రిత పరికరాల యొక్క ఆపరేటింగ్ స్థితి (ఉదా, థైరిస్టర్లు) నియంత్రణ వోల్టేజ్ లేదా కరెంట్ ద్వారా మాత్రమే కాకుండా, ఇతర కారకాల ద్వారా కూడా ప్రభావితమవుతుంది (ఉదా, యానోడ్ వోల్టేజ్, కరెంట్, మొదలైనవి). ఫలితంగా, పూర్తిగా నియంత్రించబడిన పరికరాలు (ఉదా, MOSFETలు) సాధారణంగా నియంత్రణ ఖచ్చితత్వం మరియు వశ్యత పరంగా మెరుగైన పనితీరును అందిస్తాయి.
సారాంశంలో, MOSFETలు పూర్తిగా నియంత్రించబడే పరికరాలు, దీని ఆపరేటింగ్ స్థితి పూర్తిగా గేట్ వోల్టేజ్ ద్వారా నియంత్రించబడుతుంది మరియు అధిక ఖచ్చితత్వం, అధిక సౌలభ్యం మరియు తక్కువ విద్యుత్ వినియోగం వంటి ప్రయోజనాలను కలిగి ఉంటుంది.
పోస్ట్ సమయం: సెప్టెంబర్-20-2024
