ఇన్సులేటెడ్ లేయర్ గేట్ MOSFETల గుర్తింపు

ఇన్సులేషన్ లేయర్ గేట్ రకం MOSFET అలియాస్MOSFET (ఇకపై MOSFETగా సూచిస్తారు), ఇది గేట్ వోల్టేజ్ మరియు సోర్స్ డ్రెయిన్ మధ్యలో సిలికాన్ డయాక్సైడ్ యొక్క కేబుల్ షీత్‌ను కలిగి ఉంటుంది.

MOSFET కూడా ఉందిN-ఛానల్ మరియు P-ఛానల్ రెండు వర్గాలు, కానీ ప్రతి వర్గం మెరుగుదల మరియు కాంతి క్షీణత రకం రెండుగా విభజించబడింది, అందువలన మొత్తం నాలుగు రకాలు ఉన్నాయి:N-ఛానల్ మెరుగుదల, P-ఛానల్ మెరుగుదల, N-ఛానల్ కాంతి క్షీణత, P-ఛానల్ కాంతి క్షీణత రకం. కానీ గేట్ సోర్స్ వోల్టేజ్ సున్నా ఉన్న చోట, డ్రెయిన్ కరెంట్ కూడా పైపు సున్నాగా ఉంటుంది మెరుగుపరచబడిన ట్యూబ్. అయితే, గేట్ సోర్స్ వోల్టేజ్ సున్నాగా ఉన్న చోట, డ్రెయిన్ కరెంట్ సున్నా కానప్పుడు కాంతి-వినియోగించే రకం ట్యూబ్‌లుగా వర్గీకరించబడతాయి.
మెరుగైన MOSFET సూత్రం:

గేట్ మూలం మధ్యలో పని చేస్తున్నప్పుడు వోల్టేజ్ ఉపయోగించదు, కాలువ మూలం PN జంక్షన్ మధ్యలో వ్యతిరేక దిశలో ఉంటుంది, కాబట్టి వాహక ఛానల్ ఉండదు, కాలువ మూలం మధ్యలో వోల్టేజ్ ఉన్నప్పటికీ, వాహక కందకం విద్యుత్ మూసివేయబడింది, ప్రకారం పని కరెంట్ ఉండటం సాధ్యం కాదు. గేట్ సోర్స్ మధ్యలో ఒక నిర్దిష్ట విలువకు సానుకూల దిశ వోల్టేజ్ ఉన్నప్పుడు, కాలువ మూలం మధ్యలో ఒక వాహక భద్రతా ఛానెల్‌ని ఉత్పత్తి చేస్తుంది, తద్వారా ఈ గేట్ సోర్స్ వోల్టేజ్ ద్వారా ఉత్పత్తి చేయబడిన వాహక కందకాన్ని ఓపెన్ వోల్టేజ్ VGS అంటారు. గేట్ సోర్స్ వోల్టేజ్ మధ్యలో పెద్దది, వాహక కందకం వెడల్పుగా ఉంటుంది, ఇది విద్యుత్ ప్రవాహాన్ని పెంచుతుంది.

కాంతి డిస్సిపేటివ్ MOSFET సూత్రం:

ఆపరేషన్‌లో, మెరుగుదల రకం MOSFET వలె కాకుండా గేట్ మూలం మధ్యలో వోల్టేజ్ ఉపయోగించబడదు మరియు కాలువ మూలం మధ్యలో ఒక వాహక ఛానల్ ఉంది, కాబట్టి డ్రెయిన్ మూలం మధ్యలో సానుకూల వోల్టేజ్ మాత్రమే జోడించబడుతుంది, ఇది డ్రెయిన్ కరెంట్ ప్రవాహానికి దారి తీస్తుంది. అంతేకాకుండా, వోల్టేజ్ యొక్క సానుకూల దిశలో మధ్యలో ఉన్న గేట్ మూలం, వాహక ఛానల్ విస్తరణ, వోల్టేజ్ యొక్క వ్యతిరేక దిశను జోడించడం, వాహక ఛానల్ తగ్గిపోతుంది, విద్యుత్ ప్రవాహం ద్వారా చిన్నదిగా ఉంటుంది, MOSFET పోలిక మెరుగుదలతో, ఇది వాహక ఛానెల్‌లోని నిర్దిష్ట సంఖ్యలో ప్రాంతాల యొక్క సానుకూల మరియు ప్రతికూల సంఖ్యలో కూడా ఉంటుంది.

MOSFET సమర్థత:

ముందుగా, MOSFETలు విస్తరించడానికి ఉపయోగించబడతాయి. MOSFET యాంప్లిఫైయర్ యొక్క ఇన్‌పుట్ నిరోధకత చాలా ఎక్కువగా ఉన్నందున, విద్యుద్విశ్లేషణ కెపాసిటర్‌లను వర్తింపజేయాల్సిన అవసరం లేకుండా ఫిల్టర్ కెపాసిటర్ చిన్నదిగా ఉంటుంది.

రెండవది, MOSFET చాలా ఎక్కువ ఇన్‌పుట్ రెసిస్టెన్స్ లక్షణ ఇంపెడెన్స్ మార్పిడికి ప్రత్యేకంగా అనుకూలంగా ఉంటుంది. లక్షణ ఇంపెడెన్స్ మార్పిడి కోసం బహుళ-స్థాయి యాంప్లిఫైయర్ ఇన్‌పుట్ దశలో సాధారణంగా ఉపయోగించబడుతుంది.

MOSFET సర్దుబాటు నిరోధకం వలె ఉపయోగించవచ్చు.

నాల్గవది, MOSFET DC విద్యుత్ సరఫరాగా సౌకర్యవంతంగా ఉంటుంది.

V. MOSFET స్విచ్చింగ్ ఎలిమెంట్‌గా ఉపయోగించవచ్చు.