ఇన్వర్టర్ యొక్క MOSFETలో వేడికి కారణాలు ఏమిటి?

ఇన్వర్టర్ యొక్కMOSFETలుమారే స్థితిలో పనిచేస్తాయి మరియు గొట్టాల ద్వారా ప్రవహించే కరెంట్ చాలా ఎక్కువగా ఉంటుంది. ట్యూబ్ సరిగ్గా ఎంచుకోబడకపోతే, డ్రైవింగ్ వోల్టేజ్ వ్యాప్తి తగినంత పెద్దది కాదు లేదా సర్క్యూట్ హీట్ డిస్సిపేషన్ మంచిది కాదు, ఇది MOSFET వేడెక్కడానికి కారణం కావచ్చు.

 

1, ఇన్వర్టర్ MOSFET తాపన తీవ్రమైనది, MOSFET ఎంపికపై శ్రద్ధ వహించాలి

మారే స్థితిలో ఉన్న ఇన్వర్టర్‌లో MOSFET, సాధారణంగా దాని డ్రెయిన్ కరెంట్ వీలైనంత పెద్దది, ఆన్-రెసిస్టెన్స్ వీలైనంత చిన్నది, ఇది ట్యూబ్ యొక్క సంతృప్త వోల్టేజ్ డ్రాప్‌ను తగ్గిస్తుంది, తద్వారా వినియోగం నుండి ట్యూబ్‌ను తగ్గిస్తుంది, వేడిని తగ్గిస్తుంది.

MOSFET మాన్యువల్‌ని తనిఖీ చేయండి, MOSFET యొక్క తట్టుకోగల వోల్టేజ్ విలువ ఎక్కువ, దాని ఆన్-రెసిస్టెన్స్ ఎక్కువ అని మరియు ట్యూబ్ యొక్క అధిక డ్రెయిన్ కరెంట్ మరియు తక్కువ తట్టుకునే వోల్టేజ్ విలువ ఉన్నవి, దాని ఆన్-రెసిస్టెన్స్ సాధారణంగా పదుల కంటే తక్కువగా ఉంటుందని మేము కనుగొంటాము. మిలియన్లు.

లోడ్ కరెంట్ 5A అని ఊహిస్తే, మేము సాధారణంగా ఉపయోగించే MOSFET RU75N08R ఇన్వర్టర్‌ని ఎంచుకుంటాము మరియు వోల్టేజ్ తట్టుకునే విలువ 500V 840 కావచ్చు, వాటి డ్రెయిన్ కరెంట్ 5A లేదా అంతకంటే ఎక్కువ ఉంటుంది, అయితే రెండు ట్యూబ్‌ల ఆన్-రెసిస్టెన్స్ భిన్నంగా ఉంటుంది, అదే కరెంట్‌ని డ్రైవ్ చేయండి , వారి వేడి వ్యత్యాసం చాలా పెద్దది. 75N08R ఆన్-రెసిస్టెన్స్ 0.008Ω మాత్రమే, అయితే 840 యొక్క ఆన్-రెసిస్టెన్స్ 0.85Ω, ట్యూబ్ ద్వారా ప్రవహించే లోడ్ కరెంట్ 5A అయినప్పుడు, 75N08R ట్యూబ్ వోల్టేజ్ డ్రాప్ 0.04V మాత్రమే, ఈ సమయంలో, MOSFET ట్యూబ్ వినియోగం 0.2W మాత్రమే, 840 ట్యూబ్ వోల్టేజ్ డ్రాప్ 4.25W వరకు ఉంటుంది, ట్యూబ్ వినియోగం 21.25W వరకు ఉంటుంది. దీని నుండి ఇది చూడవచ్చు, ఇన్వర్టర్ యొక్క MOSFET యొక్క ఆన్-రెసిస్టెన్స్ ఎంత చిన్నదైతే అంత మంచిది, ట్యూబ్ యొక్క ఆన్-రెసిస్టెన్స్ పెద్దది, అధిక కరెంట్ కింద ట్యూబ్ వినియోగం ఇన్వర్టర్ యొక్క MOSFET యొక్క ఆన్-రెసిస్టెన్స్ అంత చిన్నదిగా ఉంటుంది. వీలైనంత.

 

2, డ్రైవింగ్ వోల్టేజ్ వ్యాప్తి యొక్క డ్రైవింగ్ సర్క్యూట్ తగినంత పెద్దది కాదు

MOSFET అనేది వోల్టేజ్ నియంత్రణ పరికరం, మీరు ట్యూబ్ వినియోగాన్ని తగ్గించాలనుకుంటే, వేడిని తగ్గించండి,MOSFETగేట్ డ్రైవ్ వోల్టేజ్ వ్యాప్తి పల్స్ అంచుని నిటారుగా మరియు నిటారుగా ఉండేలా నడపడానికి తగినంత పెద్దదిగా ఉండాలి, మీరు ట్యూబ్ వోల్టేజ్ డ్రాప్‌ను తగ్గించవచ్చు, ట్యూబ్ వినియోగాన్ని తగ్గించవచ్చు.

 

3, MOSFET వేడి వెదజల్లడం మంచి కారణం కాదు

ఇన్వర్టర్MOSFETవేడి చేయడం తీవ్రమైనది. ఇన్వర్టర్ MOSFET శక్తి వినియోగం ఎక్కువగా ఉన్నందున, పనికి సాధారణంగా హీట్‌సింక్ యొక్క తగినంత పెద్ద బాహ్య ప్రాంతం అవసరం, మరియు బాహ్య హీట్‌సింక్ మరియు MOSFET హీట్‌సింక్ మధ్య సన్నిహితంగా ఉండాలి (సాధారణంగా ఉష్ణ వాహక సిలికాన్ గ్రీజుతో పూత వేయాలి ), బాహ్య హీట్‌సింక్ చిన్నగా ఉంటే లేదా MOSFET యొక్క స్వంత హీట్‌సింక్‌తో పరిచయం తగినంతగా లేకుంటే, ట్యూబ్ హీటింగ్‌కు దారితీయవచ్చు.

 

ఇన్వర్టర్ MOSFET హీటింగ్ తీవ్రమైన సారాంశానికి నాలుగు కారణాలు ఉన్నాయి.

MOSFET కొంచెం వేడి చేయడం అనేది ఒక సాధారణ దృగ్విషయం, కానీ తీవ్రమైన వేడి చేయడం, ట్యూబ్ కాలిపోవడానికి కూడా దారి తీస్తుంది, ఈ క్రింది నాలుగు కారణాలు ఉన్నాయి:

 

1, సర్క్యూట్ డిజైన్ సమస్య

MOSFET స్విచింగ్ సర్క్యూట్ స్టేట్‌లో కాకుండా లీనియర్ ఆపరేటింగ్ స్టేట్‌లో పని చేయనివ్వండి. MOSFET వేడికి ఇది కూడా ఒక కారణం. N-MOS స్విచింగ్ చేస్తున్నట్లయితే, G-స్థాయి వోల్టేజ్ పూర్తిగా ఆన్ కావాలంటే విద్యుత్ సరఫరా కంటే కొన్ని V ఎక్కువగా ఉండాలి, అయితే P-MOS దీనికి విరుద్ధంగా ఉంటుంది. పూర్తిగా తెరవబడలేదు మరియు వోల్టేజ్ డ్రాప్ చాలా పెద్దది, ఫలితంగా విద్యుత్ వినియోగం, సమానమైన DC ఇంపెడెన్స్ పెద్దది, వోల్టేజ్ తగ్గుదల పెరుగుతుంది, కాబట్టి U * I కూడా పెరుగుతుంది, నష్టం అంటే వేడి. సర్క్యూట్ రూపకల్పనలో ఇది చాలా నివారించబడిన లోపం.

 

2, చాలా ఎక్కువ ఫ్రీక్వెన్సీ

ప్రధాన కారణం కొన్నిసార్లు వాల్యూమ్ యొక్క అధిక ముసుగులో, పెరిగిన ఫ్రీక్వెన్సీ ఫలితంగా, పెద్దగా MOSFET నష్టాలు, కాబట్టి వేడి కూడా పెరిగింది.

 

3, తగినంత థర్మల్ డిజైన్ లేదు

కరెంట్ చాలా ఎక్కువగా ఉంటే, MOSFET యొక్క నామమాత్రపు ప్రస్తుత విలువను సాధించడానికి సాధారణంగా మంచి ఉష్ణ వెదజల్లడం అవసరం. కాబట్టి ID గరిష్ట కరెంట్ కంటే తక్కువగా ఉంది, అది కూడా బాగా వేడెక్కవచ్చు, తగినంత సహాయక హీట్ సింక్ అవసరం.

 

4, MOSFET ఎంపిక తప్పు

శక్తి యొక్క తప్పు తీర్పు, MOSFET అంతర్గత నిరోధం పూర్తిగా పరిగణించబడదు, ఫలితంగా స్విచ్చింగ్ ఇంపెడెన్స్ పెరుగుతుంది.