మారే మూలకాలుగా, MOSFET మరియు IGBT తరచుగా ఎలక్ట్రానిక్ సర్క్యూట్లలో కనిపిస్తాయి. అవి ప్రదర్శన మరియు లక్షణ పారామితులలో కూడా సమానంగా ఉంటాయి. కొన్ని సర్క్యూట్‌లు MOSFETని ఎందుకు ఉపయోగించాలి అని చాలా మంది ఆశ్చర్యపోతారని నేను నమ్ముతున్నాను, మరికొందరు అలా చేస్తారు. IGBT?
వాటి మధ్య తేడా ఏమిటి? తదుపరి,ఓలుకీమీ ప్రశ్నలకు సమాధానం ఇస్తుంది!
ఒక ఏమిటిMOSFET?
MOSFET, పూర్తి చైనీస్ పేరు మెటల్-ఆక్సైడ్ సెమీకండక్టర్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్. ఈ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ యొక్క గేట్ ఇన్సులేటింగ్ లేయర్ ద్వారా వేరుచేయబడినందున, దీనిని ఇన్సులేటెడ్ గేట్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్ అని కూడా పిలుస్తారు. MOSFETని రెండు రకాలుగా విభజించవచ్చు: "N-టైప్" మరియు "P-టైప్" దాని "ఛానల్" (వర్కింగ్ క్యారియర్) యొక్క ధ్రువణత ప్రకారం, సాధారణంగా N MOSFET మరియు P MOSFET అని కూడా పిలుస్తారు.
MOSFET దాని స్వంత పరాన్నజీవి డయోడ్‌ను కలిగి ఉంది, ఇది VDD ఓవర్-వోల్టేజ్ అయినప్పుడు MOSFET కాలిపోకుండా నిరోధించడానికి ఉపయోగించబడుతుంది. ఎందుకంటే ఓవర్ వోల్టేజ్ MOSFETకి నష్టం కలిగించే ముందు, డయోడ్ మొదట రివర్స్‌గా విచ్ఛిన్నమవుతుంది మరియు పెద్ద కరెంట్‌ను భూమికి మళ్లిస్తుంది, తద్వారా MOSFET కాలిపోకుండా చేస్తుంది.
IGBT అంటే ఏమిటి?
IGBT (ఇన్సులేటెడ్ గేట్ బైపోలార్ ట్రాన్సిస్టర్) అనేది ట్రాన్సిస్టర్ మరియు MOSFETతో కూడిన కాంపౌండ్ సెమీకండక్టర్ పరికరం.
IGBT యొక్క సర్క్యూట్ చిహ్నాలు ఇంకా ఏకీకృతం కాలేదు. స్కీమాటిక్ రేఖాచిత్రాన్ని గీస్తున్నప్పుడు, ట్రయోడ్ మరియు MOSFET చిహ్నాలు సాధారణంగా తీసుకోబడతాయి. ఈ సమయంలో, మీరు స్కీమాటిక్ రేఖాచిత్రంలో గుర్తించబడిన మోడల్ నుండి ఇది IGBT లేదా MOSFET కాదా అని నిర్ధారించవచ్చు.
అదే సమయంలో, IGBTకి శరీర డయోడ్ ఉందా అనే దానిపై కూడా మీరు శ్రద్ధ వహించాలి. చిత్రంపై అది గుర్తించబడకపోతే, అది ఉనికిలో లేదని అర్థం కాదు. అధికారిక డేటా ప్రత్యేకంగా పేర్కొనకపోతే, ఈ డయోడ్ ఉంది. IGBT లోపల ఉన్న శరీర డయోడ్ పరాన్నజీవి కాదు, కానీ IGBT యొక్క పెళుసుగా ఉండే రివర్స్ తట్టుకునే వోల్టేజ్‌ను రక్షించడానికి ప్రత్యేకంగా ఏర్పాటు చేయబడింది. దీనిని FWD (ఫ్రీవీలింగ్ డయోడ్) అని కూడా అంటారు.
రెండింటి అంతర్గత నిర్మాణం భిన్నంగా ఉంటుంది
MOSFET యొక్క మూడు ధ్రువాలు మూలం (S), కాలువ (D) మరియు గేట్ (G).
IGBT యొక్క మూడు ధ్రువాలు కలెక్టర్ (C), ఉద్గారిణి (E) మరియు గేట్ (G).
MOSFET యొక్క కాలువకు అదనపు పొరను జోడించడం ద్వారా IGBT నిర్మించబడింది. వారి అంతర్గత నిర్మాణం క్రింది విధంగా ఉంది:
రెండింటి అప్లికేషన్ ఫీల్డ్‌లు భిన్నంగా ఉంటాయి
MOSFET మరియు IGBT యొక్క అంతర్గత నిర్మాణాలు భిన్నంగా ఉంటాయి, ఇది వాటి అప్లికేషన్ ఫీల్డ్‌లను నిర్ణయిస్తుంది.
MOSFET యొక్క నిర్మాణం కారణంగా, ఇది సాధారణంగా ఒక పెద్ద కరెంట్‌ను సాధించగలదు, ఇది KAకి చేరుకోగలదు, అయితే ముందస్తు వోల్టేజ్ తట్టుకునే సామర్థ్యం IGBT వలె బలంగా లేదు. విద్యుత్ సరఫరా, బ్యాలస్ట్‌లు, హై-ఫ్రీక్వెన్సీ ఇండక్షన్ హీటింగ్, హై-ఫ్రీక్వెన్సీ ఇన్వర్టర్ వెల్డింగ్ మెషీన్‌లు, కమ్యూనికేషన్ పవర్ సప్లైలు మరియు ఇతర హై-ఫ్రీక్వెన్సీ పవర్ సప్లై ఫీల్డ్‌లను మార్చడం దీని ప్రధాన అప్లికేషన్ ప్రాంతాలు.
IGBT చాలా శక్తిని, కరెంట్ మరియు వోల్టేజ్‌ని ఉత్పత్తి చేయగలదు, అయితే ఫ్రీక్వెన్సీ చాలా ఎక్కువగా ఉండదు. ప్రస్తుతం, IGBT యొక్క హార్డ్ స్విచ్చింగ్ వేగం 100KHZకి చేరుకుంటుంది. IGBT విస్తృతంగా వెల్డింగ్ యంత్రాలు, ఇన్వర్టర్లు, ఫ్రీక్వెన్సీ కన్వర్టర్లు, విద్యుద్విశ్లేషణ విద్యుద్విశ్లేషణ విద్యుత్ సరఫరా, అల్ట్రాసోనిక్ ఇండక్షన్ తాపన మరియు ఇతర రంగాలలో ఉపయోగిస్తారు.
MOSFET మరియు IGBT యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు
MOSFET అధిక ఇన్‌పుట్ ఇంపెడెన్స్, ఫాస్ట్ స్విచింగ్ స్పీడ్, మంచి థర్మల్ స్టెబిలిటీ, వోల్టేజ్ కంట్రోల్ కరెంట్ మొదలైన లక్షణాలను కలిగి ఉంది. సర్క్యూట్‌లో, దీనిని యాంప్లిఫైయర్, ఎలక్ట్రానిక్ స్విచ్ మరియు ఇతర ప్రయోజనాల కోసం ఉపయోగించవచ్చు.
కొత్త రకం ఎలక్ట్రానిక్ సెమీకండక్టర్ పరికరంగా, IGBT అధిక ఇన్‌పుట్ ఇంపెడెన్స్, తక్కువ వోల్టేజ్ కంట్రోల్ పవర్ వినియోగం, సింపుల్ కంట్రోల్ సర్క్యూట్, హై వోల్టేజ్ రెసిస్టెన్స్ మరియు లార్జ్ కరెంట్ టాలరెన్స్ వంటి లక్షణాలను కలిగి ఉంది మరియు వివిధ ఎలక్ట్రానిక్ సర్క్యూట్లలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడింది.
IGBT యొక్క ఆదర్శ సమానమైన సర్క్యూట్ క్రింది చిత్రంలో చూపబడింది. IGBT నిజానికి MOSFET మరియు ట్రాన్సిస్టర్ కలయిక. MOSFET అధిక ఆన్-రెసిస్టెన్స్ యొక్క ప్రతికూలతను కలిగి ఉంది, కానీ IGBT ఈ లోపాన్ని అధిగమించింది. IGBT ఇప్పటికీ అధిక వోల్టేజ్ వద్ద తక్కువ ఆన్-రెసిస్టెన్స్ కలిగి ఉంది. .
సాధారణంగా, MOSFET యొక్క ప్రయోజనం ఏమిటంటే ఇది మంచి అధిక-ఫ్రీక్వెన్సీ లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది మరియు వందల kHz మరియు MHz వరకు ఫ్రీక్వెన్సీలో పనిచేయగలదు. ప్రతికూలత ఏమిటంటే, అధిక-వోల్టేజ్ మరియు అధిక-ప్రస్తుత పరిస్థితుల్లో ఆన్-రెసిస్టెన్స్ పెద్దది మరియు విద్యుత్ వినియోగం పెద్దది. IGBT తక్కువ పౌనఃపున్యం మరియు అధిక శక్తి పరిస్థితులలో, చిన్న ఆన్-రెసిస్టెన్స్ మరియు అధిక వోల్టేజ్‌తో బాగా పని చేస్తుంది.
MOSFET లేదా IGBTని ఎంచుకోండి
సర్క్యూట్‌లో, MOSFETని పవర్ స్విచ్ ట్యూబ్‌గా ఎంచుకోవాలా లేదా IGBTని ఎంచుకోవాలా అనేది ఇంజనీర్లు తరచుగా ఎదుర్కొనే ప్రశ్న. సిస్టమ్ యొక్క వోల్టేజ్, కరెంట్ మరియు స్విచ్చింగ్ పవర్ వంటి అంశాలను పరిగణనలోకి తీసుకుంటే, ఈ క్రింది అంశాలను సంగ్రహించవచ్చు:
ప్రజలు తరచుగా అడుగుతారు: "MOSFET లేదా IGBT మంచిదా?" నిజానికి రెండింటికీ మంచి చెడు అనే తేడా లేదు. అత్యంత ముఖ్యమైన విషయం ఏమిటంటే దాని అసలు అప్లికేషన్ చూడండి.
MOSFET మరియు IGBT మధ్య వ్యత్యాసం గురించి మీకు ఇంకా ప్రశ్నలు ఉంటే, వివరాల కోసం మీరు Olukeyని సంప్రదించవచ్చు.
Olukey ప్రధానంగా WINSOK మీడియం మరియు తక్కువ వోల్టేజ్ MOSFET ఉత్పత్తులను పంపిణీ చేస్తుంది. సైనిక పరిశ్రమ, LED/LCD డ్రైవర్ బోర్డులు, మోటార్ డ్రైవర్ బోర్డులు, ఫాస్ట్ ఛార్జింగ్, ఎలక్ట్రానిక్ సిగరెట్లు, LCD మానిటర్లు, విద్యుత్ సరఫరాలు, చిన్న గృహోపకరణాలు, వైద్య ఉత్పత్తులు మరియు బ్లూటూత్ ఉత్పత్తులలో ఉత్పత్తులు విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతున్నాయి. ఎలక్ట్రానిక్ స్కేల్స్, వెహికల్ ఎలక్ట్రానిక్స్, నెట్‌వర్క్ ఉత్పత్తులు, గృహోపకరణాలు, కంప్యూటర్ పెరిఫెరల్స్ మరియు వివిధ డిజిటల్ ఉత్పత్తులు.
పోస్ట్ సమయం: డిసెంబర్-18-2023
