బాగా వేడెక్కుతున్న నా MOSFETని పరిష్కరించడానికి నేను ఏమి చేయాలి?

MOSFETచిన్న-కరెంట్ తాపన కారణాలు

1, సమస్య యొక్క సర్క్యూట్ సూత్రం ఏమిటంటే, MOSFET స్విచింగ్ పరిస్థితిలో కాకుండా, ఆపరేషన్ యొక్క సరళ స్థితిలో పని చేయనివ్వడం. ఇది కూడా MOSFET వేడికి కారణం. N-MOS స్విచింగ్, G-స్థాయి ఆపరేటింగ్ వోల్టేజ్ స్విచింగ్ విద్యుత్ సరఫరా కంటే కొన్ని V, పూర్తిగా ఆన్ మరియు ఆఫ్ చేయడానికి, P-MOS మరొక మార్గం. పూర్తిగా ఆన్‌లో లేదు మరియు నష్టం చాలా పెద్దది ఫలితంగా అవుట్‌పుట్ పవర్ వెదజల్లుతుంది, సమానమైన సర్క్యూట్ DC లక్షణ అవరోధం పెద్దది, నష్టం విస్తరించబడింది, కాబట్టి U * I కూడా విస్తరించబడింది, క్షీణత వేడిని సూచిస్తుంది. ఇది చాలా వరకు నివారించబడిన తప్పు డిజైన్ ప్రోగ్రామ్ కంట్రోల్ సర్క్యూట్.

2, పౌనఃపున్యం చాలా ఎక్కువగా ఉంటుంది, ప్రధానంగా కొన్ని సార్లు ఖచ్చితమైన వాల్యూమ్‌ను ఎక్కువగా అన్వేషిస్తుంది, ఫలితంగా ఫ్రీక్వెన్సీ మెరుగుదల, వినియోగం యొక్క విస్తరణపై MOSFET, కాబట్టి వేడి కూడా పెరిగింది.

3, తగినంత హీట్ ఎక్స్‌క్లూజన్ డిజైన్ ప్రోగ్రామ్ చేయలేదు, కరెంట్ చాలా ఎక్కువగా ఉంది, MOSFET టాలరెన్స్ కరెంట్ విలువ, సాధారణంగా మంచి హీట్ ఎక్స్‌క్లూజన్‌ను నిర్వహించాలి. అందువల్ల, అధిక కరెంట్ కంటే ID తక్కువగా ఉంటుంది, ఇది మరింత తీవ్రంగా వేడెక్కడానికి కూడా అవకాశం ఉంది, హీట్ సింక్‌కు సహాయం చేయడానికి సరిపోతుంది.

4, MOSFET మోడల్ ఎంపిక సరైనది కాదు, అవుట్‌పుట్ పవర్ సరైనది కాదు, MOSFET నిరోధం పరిగణనలోకి తీసుకోబడదు, ఫలితంగా స్విచ్చింగ్ క్యారెక్టరిస్టిక్ ఇంపెడెన్స్ విస్తరించబడుతుంది.

MOSFET స్మాల్ కరెంట్ హీటింగ్ మరింత తీవ్రమైనది ఎలా పరిష్కరించాలి?