అధిక శక్తి MOSFET వినియోగాన్ని పరీక్షించడం మరియు మల్టీమీటర్‌తో భర్తీ చేయడం ఎల్లప్పుడూ ఎందుకు కష్టం?

అధిక-పవర్ MOSFET గురించి ఇంజనీర్‌లలో ఒకరు ఈ అంశంపై చర్చించడానికి ఆసక్తిని కలిగి ఉన్నారు, కాబట్టి మేము సాధారణ మరియు అసాధారణ జ్ఞానాన్ని నిర్వహించాముMOSFET, నేను ఇంజనీర్లకు సహాయం చేయాలని ఆశిస్తున్నాను. చాలా ముఖ్యమైన భాగం అయిన MOSFET గురించి మాట్లాడుకుందాం!

యాంటీ స్టాటిక్ రక్షణ

హై-పవర్ MOSFET అనేది ఇన్సులేటెడ్ గేట్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్యూబ్, గేట్ డైరెక్ట్ కరెంట్ సర్క్యూట్ కాదు, ఇన్‌పుట్ ఇంపెడెన్స్ చాలా ఎక్కువగా ఉంటుంది, స్టాటిక్ ఛార్జ్ అగ్రిగేషన్‌ను కలిగించడం చాలా సులభం, ఫలితంగా అధిక వోల్టేజ్ గేట్ మరియు మూలం అవుతుంది. విచ్ఛిన్నం మధ్య ఇన్సులేటింగ్ పొర.

MOSFETల యొక్క ప్రారంభ ఉత్పత్తిలో చాలా వరకు యాంటీ-స్టాటిక్ చర్యలు లేవు, కాబట్టి అదుపు మరియు అప్లికేషన్‌లో చాలా జాగ్రత్తగా ఉండండి, ప్రత్యేకించి చిన్న పవర్ MOSFETలు, చిన్న శక్తి కారణంగా MOSFET ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్ చాలా తక్కువగా ఉంటుంది, స్థిర విద్యుత్‌కు గురైనప్పుడు ఉత్పత్తి అవుతుంది అధిక వోల్టేజ్, ఎలెక్ట్రోస్టాటిక్ బ్రేక్‌డౌన్ వల్ల సులభంగా ఏర్పడుతుంది.

హై-పవర్ MOSFET యొక్క ఇటీవలి మెరుగుదల సాపేక్షంగా పెద్ద వ్యత్యాసం, అన్నింటిలో మొదటిది, పెద్ద ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్ యొక్క పనితీరు కారణంగా కూడా పెద్దది, తద్వారా స్టాటిక్ విద్యుత్‌తో పరిచయం ఛార్జింగ్ ప్రక్రియను కలిగి ఉంటుంది, ఫలితంగా చిన్న వోల్టేజ్ ఏర్పడుతుంది, ఇది విచ్ఛిన్నానికి కారణమవుతుంది. చిన్న, ఆపై మళ్లీ, ఇప్పుడు అంతర్గత గేట్‌లోని అధిక-పవర్ MOSFET మరియు గేట్ యొక్క మూలం మరియు రక్షిత రెగ్యులేటర్ DZ యొక్క మూలం, స్టాటిక్ దిగువ రెగ్యులేటర్ డయోడ్ వోల్టేజ్ రెగ్యులేటర్ విలువ రక్షణలో పొందుపరచబడింది, ఇన్సులేటింగ్ పొర యొక్క గేట్ మరియు మూలాన్ని సమర్థవంతంగా రక్షించండి, వివిధ శక్తి, MOSFET రక్షణ నియంత్రకం డయోడ్ వోల్టేజ్ రెగ్యులేటర్ విలువ యొక్క వివిధ నమూనాలు భిన్నంగా ఉంటాయి.

అధిక-పవర్ MOSFET అంతర్గత రక్షణ చర్యలు ఉన్నప్పటికీ, మేము యాంటీ-స్టాటిక్ ఆపరేటింగ్ విధానాలకు అనుగుణంగా పనిచేయాలి, ఇది అర్హత కలిగిన నిర్వహణ సిబ్బందిని కలిగి ఉండాలి.

గుర్తింపు మరియు భర్తీ

టెలివిజన్లు మరియు ఎలక్ట్రికల్ పరికరాల మరమ్మత్తులో, వివిధ భాగాల నష్టాన్ని ఎదుర్కొంటుంది,MOSFETవాటిలో కూడా ఉంది, మంచి మరియు చెడు, మంచి మరియు చెడు MOSFETని గుర్తించడానికి మా నిర్వహణ సిబ్బంది సాధారణంగా ఉపయోగించే మల్టీమీటర్‌ను ఎలా ఉపయోగించాలి. MOSFET స్థానంలో అదే తయారీదారు మరియు అదే మోడల్ లేనట్లయితే, సమస్యను ఎలా భర్తీ చేయాలి.

1, అధిక శక్తి MOSFET పరీక్ష:

క్రిస్టల్ ట్రాన్సిస్టర్‌లు లేదా డయోడ్‌ల కొలతలో సాధారణ ఎలక్ట్రికల్ టీవీ రిపేర్ సిబ్బందిగా, సాధారణంగా మంచి మరియు చెడు ట్రాన్సిస్టర్‌లు లేదా డయోడ్‌లను గుర్తించడానికి ఒక సాధారణ మల్టీమీటర్‌ను ఉపయోగిస్తున్నారు, అయితే ట్రాన్సిస్టర్ లేదా డయోడ్ ఎలక్ట్రికల్ పారామితుల తీర్పును నిర్ధారించలేము, అయితే కాలం క్రిస్టల్ ట్రాన్సిస్టర్‌ల నిర్ధారణ కోసం "మంచి" మరియు "చెడు" లేదా "చెడు" అనే క్రిస్టల్ ట్రాన్సిస్టర్‌ల నిర్ధారణకు ఈ పద్ధతి సరైనది. "చెడు" లేదా సమస్య లేదు. అదేవిధంగా, MOSFET కూడా కావచ్చు

సాధారణ నిర్వహణ నుండి దాని "మంచి" మరియు "చెడు" నిర్ణయించడానికి మల్టీమీటర్‌ను వర్తింపజేయడానికి, అవసరాలను కూడా తీర్చవచ్చు.

డిటెక్షన్ తప్పనిసరిగా పాయింటర్ రకం మల్టీమీటర్‌ను ఉపయోగించాలి (సెమీకండక్టర్ పరికరాలను కొలవడానికి డిజిటల్ మీటర్ తగినది కాదు). పవర్-టైప్ MOSFET స్విచింగ్ ట్యూబ్ కోసం N-ఛానల్ మెరుగుదల, తయారీదారుల ఉత్పత్తులు దాదాపు అన్నీ ఒకే TO-220F ప్యాకేజీ ఫారమ్‌ను ఉపయోగిస్తున్నాయి (ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ స్విచ్చింగ్ ట్యూబ్ యొక్క 50-200W శక్తికి మారే విద్యుత్ సరఫరాను సూచిస్తుంది) , మూడు ఎలక్ట్రోడ్ అమరిక కూడా స్థిరంగా ఉంటుంది, అంటే మూడు

పిన్స్ డౌన్, ప్రింట్ మోడల్ సెల్ఫ్ ఫేసింగ్, గేట్ కోసం ఎడమ పిన్, సోర్స్ కోసం కుడి టెస్ట్ పిన్, డ్రెయిన్ కోసం మధ్య పిన్.

(1) మల్టీమీటర్ మరియు సంబంధిత సన్నాహాలు:

అన్నింటిలో మొదటిది, కొలతకు ముందు మల్టీమీటర్‌ను ఉపయోగించగలగాలి, ముఖ్యంగా ఓం గేర్ యొక్క అప్లికేషన్, ఓం బ్లాక్‌ని అర్థం చేసుకోవడానికి క్రిస్టల్ ట్రాన్సిస్టర్‌ను కొలవడానికి ఓం బ్లాక్ యొక్క సరైన అప్లికేషన్ మరియుMOSFET.

మల్టీమీటర్ ఓం బ్లాక్‌తో ఓం సెంటర్ స్కేల్ చాలా పెద్దదిగా ఉండకూడదు, ప్రాధాన్యంగా 12 Ω కంటే తక్కువ (12 Ω కోసం 500-రకం పట్టిక), తద్వారా R × 1 బ్లాక్‌లో ఫార్వర్డ్ యొక్క PN జంక్షన్ కోసం పెద్ద కరెంట్ ఉంటుంది. తీర్పు యొక్క లక్షణాలు మరింత ఖచ్చితమైనవి. మల్టీమీటర్ R × 10K బ్లాక్ అంతర్గత బ్యాటరీ 9V కంటే ఉత్తమంగా ఉంటుంది, తద్వారా PN జంక్షన్ విలోమ లీకేజ్ కరెంట్‌ను కొలిచేటప్పుడు మరింత ఖచ్చితమైనది, లేకుంటే లీకేజీని కొలవలేము.

ఇప్పుడు ఉత్పత్తి ప్రక్రియ యొక్క పురోగతి కారణంగా, ఫ్యాక్టరీ స్క్రీనింగ్, టెస్టింగ్ చాలా కఠినంగా ఉంటాయి, MOSFET యొక్క తీర్పు లీకేజీ కాకుండా, షార్ట్ సర్క్యూట్‌ను చీల్చకుండా, అంతర్గత నాన్-సర్క్యూటింగ్ అయినంత వరకు మేము సాధారణంగా తీర్పు ఇస్తాము. మార్గంలో విస్తరించబడింది, పద్ధతి చాలా సులభం:

మల్టీమీటర్ R × 10K బ్లాక్‌ని ఉపయోగించడం; R × 10K బ్లాక్ అంతర్గత బ్యాటరీ సాధారణంగా 9V ప్లస్ 1.5V నుండి 10.5V వరకు ఉంటుంది, ఈ వోల్టేజ్ సాధారణంగా తగినంత PN జంక్షన్ విలోమ లీకేజీగా నిర్ణయించబడుతుంది, మల్టీమీటర్ యొక్క రెడ్ పెన్ ప్రతికూల సంభావ్యత (అంతర్గత బ్యాటరీ యొక్క ప్రతికూల టెర్మినల్‌కు కనెక్ట్ చేయబడింది), మల్టీమీటర్ యొక్క బ్లాక్ పెన్ సానుకూల సంభావ్యత (అంతర్గత బ్యాటరీ యొక్క సానుకూల టెర్మినల్‌కు కనెక్ట్ చేయబడింది).

(2) పరీక్ష విధానం:

MOSFET S యొక్క మూలానికి ఎరుపు పెన్ను కనెక్ట్ చేయండి; బ్లాక్ పెన్ను MOSFET D యొక్క కాలువకు కనెక్ట్ చేయండి. ఈ సమయంలో, సూది సూచన అనంతంగా ఉండాలి. పరీక్షలో ఉన్న ట్యూబ్ లీకేజ్ దృగ్విషయాన్ని కలిగి ఉందని సూచిస్తూ, ఓహ్మిక్ ఇండెక్స్ ఉంటే, ఈ ట్యూబ్ ఉపయోగించబడదు.

పై స్థితిని నిర్వహించండి; ఈ సమయంలో 100K ~ 200K రెసిస్టర్‌తో గేట్ మరియు డ్రెయిన్‌కి కనెక్ట్ చేయబడింది; ఈ సమయంలో సూది ఓంల సంఖ్యను సూచించాలి, చిన్నది అయితే మంచిది, సాధారణంగా 0 ఓంలకు సూచించవచ్చు, ఈసారి అది MOSFET గేట్ ఛార్జింగ్‌లోని 100K రెసిస్టర్ ద్వారా ధనాత్మక చార్జ్ అవుతుంది, ఫలితంగా గేట్ ఎలక్ట్రిక్ ఫీల్డ్ ఏర్పడుతుంది. వాహక వాహిక ద్వారా ఉత్పన్నమయ్యే విద్యుత్ క్షేత్రం కాలువ మరియు మూల ప్రసరణకు దారి తీస్తుంది, కాబట్టి మల్టీమీటర్ సూది విక్షేపం, విక్షేపం కోణం పెద్దది (ఓం యొక్క సూచిక చిన్నది) ఉత్సర్గ పనితీరు బాగుందని నిరూపించడానికి.

ఆపై తొలగించబడిన రెసిస్టర్‌కి కనెక్ట్ చేయబడింది, ఆపై మల్టీమీటర్ పాయింటర్ ఇప్పటికీ ఇండెక్స్‌లో MOSFETగా ఉండాలి. నిరోధకం తీసివేయబడినప్పటికీ, ఛార్జ్ ద్వారా ఛార్జ్ చేయబడిన గేట్‌కు నిరోధకం అదృశ్యం కానందున, గేట్ ఎలక్ట్రిక్ ఫీల్డ్ అంతర్గత వాహక ఛానెల్‌ని నిర్వహించడం కొనసాగిస్తుంది, ఇది ఇన్సులేటెడ్ గేట్ రకం MOSFET యొక్క లక్షణాలు.

నిరోధకం సూదిని తీసివేసినట్లయితే, నెమ్మదిగా మరియు క్రమంగా అధిక నిరోధకతకు తిరిగి వస్తుంది లేదా అనంతానికి తిరిగి వస్తుంది, కొలిచిన ట్యూబ్ గేట్ లీకేజ్ అని పరిగణించండి.

ఈ సమయంలో వైర్‌తో, పరీక్షలో ఉన్న ట్యూబ్ యొక్క గేట్ మరియు మూలానికి అనుసంధానించబడి, మల్టీమీటర్ యొక్క పాయింటర్ వెంటనే అనంతానికి తిరిగి వచ్చింది. వైర్ యొక్క కనెక్షన్ తద్వారా కొలిచిన MOSFET, గేట్ ఛార్జ్ విడుదల, అంతర్గత విద్యుత్ క్షేత్రం అదృశ్యమవుతుంది; వాహక ఛానెల్ కూడా అదృశ్యమవుతుంది, కాబట్టి ప్రతిఘటన మధ్య కాలువ మరియు మూలం మరియు అనంతం అవుతుంది.

2, అధిక-పవర్ MOSFET భర్తీ

టెలివిజన్లు మరియు అన్ని రకాల ఎలక్ట్రికల్ పరికరాల మరమ్మత్తులో, కాంపోనెంట్ డ్యామేజ్‌ను ఎదుర్కొంటే అదే రకమైన భాగాలతో భర్తీ చేయాలి. అయితే, కొన్నిసార్లు అదే భాగాలు చేతిలో ఉండవు, ఇతర రకాల రీప్లేస్‌మెంట్‌లను ఉపయోగించడం అవసరం, తద్వారా లైన్ అవుట్‌పుట్ ట్యూబ్ లోపల టెలివిజన్ వంటి పనితీరు, పారామితులు, కొలతలు మొదలైన వాటి యొక్క అన్ని అంశాలను మనం పరిగణనలోకి తీసుకోవాలి. వోల్టేజ్, కరెంట్, పవర్ యొక్క పరిగణనను సాధారణంగా భర్తీ చేయవచ్చు (లైన్ అవుట్‌పుట్ ట్యూబ్ దాదాపు అదే కొలతలు రూపాన్ని కలిగి ఉంటుంది), మరియు శక్తి పెద్దదిగా మరియు మెరుగ్గా ఉంటుంది.

MOSFET రీప్లేస్‌మెంట్ కోసం, ఈ సూత్రం కూడా ఉన్నప్పటికీ, ఉత్తమమైనదాన్ని ప్రోటోటైప్ చేయడం ఉత్తమం, ప్రత్యేకించి, శక్తి పెద్దదిగా ఉండాలనే శక్తిని కొనసాగించవద్దు; ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్ పెద్దది, మార్చబడింది మరియు ఎక్సైటేషన్ సర్క్యూట్‌లు రెసిస్టెన్స్ వాల్యూ యొక్క పరిమాణం మరియు MOSFET యొక్క ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్ పరిమాణం యొక్క నీటిపారుదల సర్క్యూట్ యొక్క ఛార్జ్ కరెంట్ లిమిటింగ్ రెసిస్టర్ యొక్క ఉత్తేజితానికి సరిపోలడం లేదు. సామర్థ్యం పెద్దది, కానీ ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్ కూడా పెద్దది, మరియు ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్ కూడా పెద్దది మరియు పవర్ పెద్దది కాదు.

ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్ కూడా పెద్దది, ఉత్తేజిత సర్క్యూట్ మంచిది కాదు, ఇది MOSFETని ఆన్ మరియు ఆఫ్ పనితీరును మరింత దిగజార్చుతుంది. ఈ పరామితి యొక్క ఇన్‌పుట్ కెపాసిటెన్స్‌ను పరిగణనలోకి తీసుకుని, MOSFETల యొక్క వివిధ నమూనాల భర్తీని చూపుతుంది.

ఉదాహరణకు, 42-అంగుళాల LCD TV బ్యాక్‌లైట్ హై-వోల్టేజ్ బోర్డు నష్టం ఉంది, అంతర్గత అధిక-పవర్ MOSFET నష్టాన్ని తనిఖీ చేసిన తర్వాత, భర్తీకి నమూనా సంఖ్య లేనందున, వోల్టేజ్ ఎంపిక, కరెంట్, శక్తి కంటే తక్కువ కాదు. అసలు MOSFET రీప్లేస్‌మెంట్, ఫలితంగా బ్యాక్‌లైట్ ట్యూబ్ నిరంతర ఫ్లికర్ (ప్రారంభ ఇబ్బందులు)గా కనిపిస్తుంది మరియు చివరకు సమస్యను పరిష్కరించడానికి అదే రకమైన అసలైన దానితో భర్తీ చేయబడింది.

అధిక-పవర్ MOSFETకి గుర్తించబడిన నష్టం, పెర్ఫ్యూజన్ సర్క్యూట్ యొక్క దాని పరిధీయ భాగాలను భర్తీ చేయడం కూడా తప్పనిసరిగా భర్తీ చేయబడాలి, ఎందుకంటే MOSFETకి నష్టం MOSFETకి నష్టం కలిగించే పేలవమైన పెర్ఫ్యూజన్ సర్క్యూట్ భాగాలు కావచ్చు. MOSFET కూడా దెబ్బతిన్నప్పటికీ, MOSFET విచ్ఛిన్నమైన క్షణంలో, పెర్ఫ్యూజన్ సర్క్యూట్ భాగాలు కూడా హాని కలిగిస్తాయి మరియు వాటిని భర్తీ చేయాలి.

A3 స్విచ్చింగ్ పవర్ సప్లై యొక్క మరమ్మత్తులో మనకు చాలా తెలివైన మరమ్మత్తు మాస్టర్ ఉన్నట్లే; స్విచింగ్ ట్యూబ్ విరిగిపోయినట్లు కనుగొనబడినంత కాలం, ఇది 2SC3807 ఉత్తేజిత ట్యూబ్‌కు ముందు భాగంలో కూడా అదే కారణంతో భర్తీ చేయబడుతుంది (మల్టీమీటర్‌తో కొలవబడిన 2SC3807 ట్యూబ్ మంచిదే అయినప్పటికీ).